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【发明授权】光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_201410784924.5 

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日:2014-12-16

公开(公告)日:2020-02-11

公开(公告)号:CN105759563B

主分类号:G03F1/42(20120101)

分类号:G03F1/42(20120101);G03F1/84(20120101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.02.11#授权;2016.08.10#实质审查的生效;2016.07.13#公开

摘要:本申请提供了一种光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法。该光罩包括版图,版图包括对准标记,对准标记的个数不少于三个。在进行晶圆的光刻时,光刻机根据不少于三个的对准标记处的光罩膨胀系数与光罩旋转系数计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数,这样得出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加准确,能够及时、灵敏地反应出晶圆或光罩的沾污问题,进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题,提高了器件的产率及良率。

主权项:1.一种光罩或晶圆沾污的检测方法,其特征在于,所述检测方法包括:步骤S1,检测一批晶圆中的各个晶圆对应的光罩的光罩膨胀系数,所述光罩包括版图,所述版图包括对准标记,所述对准标记的个数不少于三个;以及步骤S2,比较各所述光罩膨胀系数,如果光罩膨胀系数出现异常则判断该光罩膨胀系数对应的光罩或晶圆出现沾污;所述步骤S2包括:步骤S21,计算所述一批晶圆的光罩膨胀系数平均值;步骤S22,计算各所述膨胀系数与膨胀系数平均值的差值的绝对值,得到一组第一绝对值;以及步骤S23,比较上述各所述第一绝对值与第一标准值,其中大于所述第一标准值的第一绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法

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