申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-06-19

公开（公告）日：2020-02-14

公开（公告）号：CN110797345A

主分类号：H01L27/11556(20170101)

分类号：H01L27/11556(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11529(20170101)

优先权：["20180803 KR 10-2018-0090766"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.11#实质审查的生效;2020.02.14#公开

摘要：提供了一种垂直存储器件，其包括：多个第一栅电极，在衬底的单元区域上堆叠，并在基本垂直于衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，延伸穿过所述多个第一栅电极并且在垂直方向上延伸；第一接触插塞结构，与所述多个第一栅电极中的相应的第一栅电极接触，在垂直方向上延伸，并且包括第一金属图案、覆盖第一金属图案的下表面和侧壁的第一阻挡图案以及覆盖第一阻挡图案的下表面和侧壁的第一金属硅化物图案；以及第二接触插塞结构，在衬底的外围电路区域上沿垂直方向延伸，并且包括第二金属图案以及覆盖第二金属图案的下表面和侧壁的第二阻挡图案。

主权项：1.一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在包括单元区域和外围电路区域的衬底的所述单元区域上堆叠，所述多个第一栅电极在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；沟道，所述沟道在所述垂直方向上延伸穿过所述多个第一栅电极中的一些第一栅电极；第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构与所述多个第一栅电极中的相应的第一栅电极接触并在所述垂直方向上延伸，所述第一接触插塞结构包括：第一金属图案；第一阻挡图案，所述第一阻挡图案覆盖所述第一金属图案的下表面和侧壁；以及第一金属硅化物图案，所述第一金属硅化物图案覆盖所述第一阻挡图案的下表面和侧壁；以及第二接触插塞结构，所述第二接触插塞结构在所述衬底的所述外围电路区域上沿所述垂直方向延伸，所述第二接触插塞结构包括：第二金属图案；以及第二阻挡图案，所述第二阻挡图案覆盖所述第二金属图案的下表面和侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 垂直存储器件

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