申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2015-01-20

公开（公告）日：2020-02-14

公开（公告）号：CN105940341B

主分类号：G02F1/13(20060101)

分类号：G02F1/13(20060101)

优先权：["20140130 US 61/933,737"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.02.14#授权;2017.03.01#实质审查的生效;2016.09.14#公开

摘要：本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布。所述L形主体包括第一支脚和第二支脚，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角处相交。所述第一支脚或所述第二支脚的长度是所述第一支脚或所述第二支脚与所述内侧拐角之间界定的距离的两倍。在另一实施方式中，一种用于沉积腔室的遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的拐角处耦接到所述矩形主体。

主权项：1.一种用于处理腔室的遮蔽框架，所述遮蔽框架包括：矩形主体，所述矩形主体具有贯穿其的矩形开口以及内侧边缘和外侧边缘；以及一或多个拐角式扰流件，所述一或多个拐角式扰流件在所述矩形主体的一或多个拐角处耦接到所述矩形主体的顶表面并且设置在由所述矩形主体的所述内侧边缘和所述外侧边缘界定的区域内，其中所述一或多个拐角式扰流件包括：电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在所述处理腔室中的基板的拐角处的等离子体分布，并且其中所述L形主体包括：第一支脚，所述第一支脚具有包括内侧拐角和外侧拐角的端部；以及第二支脚，所述第二支脚具有包括内侧拐角和外侧拐角的端部，其中所述第一支脚与所述第二支脚在所述L形主体的内侧拐角和外侧拐角相交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于改进分布均匀性的拐角式扰流件

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