申请/专利权人：深圳先进技术研究院

申请日：2019-10-12

公开（公告）日：2020-02-18

公开（公告）号：CN110808181A

主分类号：H01G11/86(20130101)

分类号：H01G11/86(20130101);H01G11/26(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/32(20130101);H01G11/36(20130101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.09.03#授权;2020.03.13#实质审查的生效;2020.02.18#公开

摘要：本发明属于功能薄膜材料技术领域，具体涉及一种薄膜电极及制备方法。该制备方法，包括如下步骤：提供柔性基体，将所述柔性基体置于纳米金刚石悬浊液中，进行吸附处理，得到表面吸附有单层纳米金刚石颗粒的柔性基体；对所述柔性基体表面吸附的单层纳米金刚石颗粒进行硼掺杂处理，得到第一掺硼金刚石薄膜；在所述第一掺硼金刚石薄膜上生长多孔片状硼掺杂金刚石薄膜，形成第二掺硼金刚石薄膜，得到薄膜电极；其中，所述第一掺硼金刚石薄膜和所述第二掺硼金刚石薄膜组成所述薄膜电极。该制备方法可以大面积制备高比表面积的双层多孔掺硼金刚石的薄膜电极，工艺简单，成本低，适用工业化大批量生产。

主权项：1.一种薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供柔性基体，将所述柔性基体置于纳米金刚石悬浊液中，进行吸附处理，得到表面吸附有单层纳米金刚石颗粒的柔性基体；对所述柔性基体表面吸附的单层纳米金刚石颗粒进行硼掺杂处理，得到第一掺硼金刚石薄膜；在所述第一掺硼金刚石薄膜上生长多孔片状硼掺杂金刚石薄膜，形成第二掺硼金刚石薄膜，得到薄膜电极；其中，所述第一掺硼金刚石薄膜和所述第二掺硼金刚石薄膜组成所述薄膜电极。

全文数据：

权利要求：

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