申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2019-11-12

公开（公告）日：2020-02-28

公开（公告）号：CN110854119A

主分类号：H01L27/11524(20170101)

分类号：H01L27/11524(20170101);H01L27/1157(20170101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.03.24#实质审查的生效;2020.02.28#公开

摘要：本发明提供一种1.5TSONOS存储器结构及制造方法，P型阱和位于其一侧的存储阱；位于P型阱上的选择管栅极；位于存储阱上的存储管栅极；选择管栅极的高度低于存储管栅极的高度，并且存储管栅极远离选择管栅极的侧壁呈斜坡，该斜坡上设有金属硅化物；选择管栅极与存储管栅极之间设有ONO叠层，该ONO叠层高度与存储管栅极高度一致；选择管栅极的顶部设有依靠ONO叠层的第一侧墙；选择管栅极顶部的其余部分设有金属硅化物；选择管栅极远离所述存储管栅极的侧壁设有第二侧墙。本发明通过改造传统的1.5TSONOS工艺，加强选择管和存储管的栅极隔绝，降低选择管和存储管栅极漏电的风险，同时能让选择管的栅极也能生长金属硅化物,降低选择管的电阻，提高器件性能。

主权项：1.一种1.5TSONOS存储器结构，其特征在于，该结构至少包括：P型阱和位于其一侧的存储阱；位于所述P型阱上的选择管栅极；位于所述存储阱上的存储管栅极；所述选择管栅极的高度低于所述存储管栅极的高度，并且所述存储管栅极远离所述选择管栅极的侧壁呈斜坡，该斜坡上设有金属硅化物；所述选择管栅极与所述存储管栅极之间设有ONO叠层，该ONO叠层高度与所述存储管栅极高度一致；所述选择管栅极的顶部设有依靠所述ONO叠层的第一侧墙；所述选择管栅极顶部的其余部分设有金属硅化物；所述选择管栅极远离所述存储管栅极的侧壁设有第二侧墙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种1.5T SONOS存储器结构及制造方法

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