申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-04-16

公开（公告）日：2020-03-10

公开（公告）号：CN110875430A

主分类号：H01L51/40(20060101)

分类号：H01L51/40(20060101);H01L51/00(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/10(20060101);H01L27/28(20060101)

优先权：["20180831 US 16/120,158"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.26#授权;2020.04.03#实质审查的生效;2020.03.10#公开

摘要：本发明的实施例提供了一种形成全环栅GAAFET的方法以及具有GAAFET的半导体器件。在形成全环栅场效应晶体管GAAFET的方法中，在衬底上方形成底部支撑层，并且在底部支撑层上方设置第一组碳纳米管CNT。在第一组CNT和底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得第一组CNT嵌入到第一支撑层中。在第一支撑层上方设置第二组碳纳米管CNT。在第二组CNT和第一支撑层上方形成第二支撑层，从而使得第二组CNT嵌入到第二支撑层中。通过至少图案化第一支撑层和第二支撑层来形成鳍结构。

主权项：1.一种形成全环栅场效应晶体管GAAFET的方法，所述方法包括：在衬底上方形成底部支撑层；在所述底部支撑层上方设置第一组碳纳米管CNT；在所述第一组碳纳米管和所述底部支撑层上方形成第一支撑层，从而使得所述第一组碳纳米管嵌入到所述第一支撑层中；在所述第一支撑层上方设置第二组碳纳米管CNT；在所述第二组碳纳米管和所述第一支撑层上方形成第二支撑层，从而使得所述第二组碳纳米管嵌入到所述第二支撑层中；以及通过至少图案化所述第一支撑层和所述第二支撑层来形成鳍结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 形成全环栅(GAA)FET的方法以及具有GAA FET的半导体器件

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