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【发明公布】刻蚀方法以及半导体器件的制造方法_上海华力微电子有限公司_201911024501.2 

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

申请日:2019-10-25

公开(公告)日:2020-03-20

公开(公告)号:CN110896029A

主分类号:H01L21/308(20060101)

分类号:H01L21/308(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.11.12#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要:本发明提供了一种刻蚀方法,将先进图形膜层分成两步刻蚀,并在两步先进图形膜层刻蚀中间增加了去除未曝光区介质抗反射层的步骤,后续利用两步先进图形膜层刻蚀后残留的先进图形膜层作为掩膜,对目标刻蚀层进行刻蚀,通过上述方法解决了刻蚀过程中无法去除未曝光区的所述介质抗反射层的问题,并避免了形成后续制程缺陷的问题。

主权项:1.一种刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1,提供一形成有目标刻蚀层的半导体衬底,在所述半导体衬底上依次覆盖先进图形膜层、介质抗反射层和底部抗反射层,并在所述底部抗反射层上形成图案化的光刻胶层,所述图案化的光刻胶层定义出曝光区和未曝光区;步骤S2,以所述图案化的光刻胶层为掩膜,对所述底部抗反射层和所述介质抗反射层进行刻蚀,至暴露出所述曝光区中的所述先进图形膜层的表面;步骤S3,对所述曝光区中的所述先进图形膜层进行部分刻蚀,同时刻蚀掉所述未曝光区的残余的所述光刻胶层以及所述底部抗反射层;步骤S4,刻蚀去除所述未曝光区中残余的所述介质抗反射层;步骤S5,再次刻蚀所述先进图形膜层,以去除所述曝光区中的所述先进图形膜层,并在所述未曝光区中保留一定厚度的所述先进图形膜层;步骤S6,以残余的所述先进图形膜层为掩膜,对所述曝光区中的所述目标刻蚀层进行刻蚀,以形成所需的图案。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海华力微电子有限公司 刻蚀方法以及半导体器件的制造方法

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