申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2019-11-04

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN110896102A

主分类号：H01L29/423(20060101)

分类号：H01L29/423(20060101);H01L29/745(20060101);H01L29/749(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/04(20060101);H01L21/332(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.03.30#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：本发明公开了一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，包括：钝化层1、阳极接触金属2、关断栅极接触金属3、开启栅极接触金属4、栅氧化层5、P+短路区6、N+阳极区7、P‑漂移区8、N‑漂移区9、缓冲层10、衬底11以及阴极接触金属12。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。

主权项：1.一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管，其特征在于，包括：钝化层1、阳极接触金属2、关断栅极接触金属3、开启栅极接触金属4、栅氧化层5、P+短路区6、N+阳极区7、P-漂移区8、N-漂移区9、缓冲层10、衬底11以及阴极接触金属12，其中，所述缓冲层10、所述N-漂移区9、所述P-漂移区8、所述N+阳极区7依次设置于所述衬底11上表面，所述阴极接触金属12设置于所述衬底11的下表面；所述P+短路区6设置在所述N+阳极区7内部右上方且与所述N+阳极区7的上表面平齐；所述栅氧化层5包括彼此间隔的两部分，其一部分设置在所述N+阳极区7的右侧并延伸至所述P+短路区6上部和P-漂移区8上部，另一部分设置在所述P-漂移区8的左侧并延伸至所述N+阳极区7上部和所述N-漂移区9上部；所述开启栅极接触金属4和所述关断栅极接触金属3分别设置在所述栅氧化层5的表面并部分覆盖所述栅氧化层5；所述阳极接触金属2设置在所述N+阳极区7和所述P+短路区6的上表面，并位于所述栅氧化层5的两部分之间；所述钝化层1设置在所述关断栅极接触金属3、所述开启栅极接触金属4、以及所述阳极接触金属2的部分上表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法

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