申请/专利权人：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2019-12-06

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN110896053A

主分类号：H01L21/768(20060101)

分类号：H01L21/768(20060101);H01L23/528(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.29#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法。其中，在制备屏蔽电极时，使得位于元胞区中的第一屏蔽电极和位于源极连接区中的第二屏蔽电极的高度均降低，从而在制备隔离层时，即可以利用隔离层的保护，而避免第一介质层中包覆第二屏蔽电极的部分横向暴露出，进而可以防止第一介质层中包覆第二屏蔽电极的部分被侧向侵蚀的问题，如此一来，即可以有效解决源极连接区中的第二屏蔽电极与栅电极出现短接的现象。

主权项：1.一种屏蔽栅场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底定义有元胞区和源极连接区，以及在所述衬底中形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽具有位于所述元胞区中的第一沟槽和位于所述源极连接区中的第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互连通；在所述栅极沟槽中依次形成第一介质层和屏蔽电极，所述第一介质层覆盖所述栅极沟槽的底壁和侧壁，以及所述屏蔽电极中位于所述第一沟槽中的部分构成第一屏蔽电极，所述屏蔽电极中位于所述第二沟槽中的部分构成第二屏蔽电极，所述第一屏蔽电极和所述第二屏蔽电极的顶表面均低于所述衬底的顶表面；在所述栅极沟槽中形成隔离层，所述隔离层中位于所述第一沟槽中的部分构成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述第一屏蔽电极，并且所述第一隔离层的顶表面低于所述衬底的顶表面，以及所述隔离层中位于第二沟槽中的部分构成形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第二屏蔽电极；以及，在所述栅极沟槽中形成栅电极，所述栅电极包括位于所述第一沟槽中的第一栅电极，所述第一栅电极形成在所述第一隔离层上。

全文数据：

权利要求：

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