申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2019-12-09

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN110894823A

主分类号：F03H1/00(20060101)

分类号：F03H1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.19#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：本发明提供了一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，包括导磁底板和均匀设置在导磁底板上的多个导磁套筒，导磁底板和多个导磁套筒一体成型设置，每一导磁套筒内安置霍尔推力器簇的一个推力器单元，每一导磁套筒完全遮挡其内的推力器单元，各导磁套筒间均设有间隙，多个导磁套筒围合的区域中心为导磁底板的中心，在多个导磁套筒围合的区域中心布置阴极，阴极为霍尔推力器簇的各推力器单元的共享阴极。本发明所述的抗磁干扰支架在起到固定各推力器单元的作用的同时，可有效减少推力器的空间漏磁，以确保各推力器单元免受外界磁场干扰。同时该支架中心位置可布置一台阴极，采取阴极共享策略为数个推力器同时提供电离过程及离子中和过程所需的电子。

主权项：1.一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：包括导磁底板和均匀设置在导磁底板上的多个导磁套筒，所述的导磁底板和多个导磁套筒一体成型设置，每一导磁套筒内安置霍尔推力器簇的一个推力器单元，每一导磁套筒完全遮挡其内的推力器单元，各导磁套筒间均设有间隙，多个导磁套筒围合的区域中心为导磁底板的中心，在多个导磁套筒围合的区域中心布置阴极，所述阴极为霍尔推力器簇的各推力器单元的共享阴极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架

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