申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-06-28

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN110896672A

主分类号：H01L27/11578(20170101)

分类号：H01L27/11578(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11568(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.25#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：形成三维3D存储器件的方法的实施例包括以下操作。首先，在衬底上方交替布置的多个第一层和多个第二层的堆叠结构中形成初始沟道孔。在初始沟道孔的侧壁上的多个第一层中的每一个的侧表面和多个第二层中的每一个的侧表面之间形成偏移，以形成沟道孔。通过利用沟道形成结构填充沟道孔来形成半导体沟道，所述半导体沟道具有存储器层，所述存储器层包括均围绕相应第二层的底部的多个第一存储器部分以及均连接相邻第一存储器部分的多个第二存储器部分。

主权项：1.一种用于形成三维3D存储器件的方法，包括：在衬底上方交替布置的多个第一层和多个第二层的堆叠结构中形成初始沟道孔；在所述初始沟道孔的侧壁上的所述多个第一层中的每一个的侧表面和所述多个第二层中的每一个的侧表面之间形成偏移，以形成沟道孔；通过利用沟道形成结构填充所述沟道孔来形成半导体沟道，所述半导体沟道具有存储器层，所述存储器层包括均围绕相应第二层的底部的多个第一存储器部分以及均连接相邻第一存储器部分的多个第二存储器部分；去除所述多个第二存储器部分以保留所述多个第一存储器部分，所述多个第一存储器部分彼此断开连接；从所述多个第二层形成多个导体层；以及在相邻的所述导体层之间形成栅极到栅极电介质层，所述栅极到栅极电介质层包括至少一个氮氧化硅子层和气隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器件及其制造方法

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