申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-05-29

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN110896665A

主分类号：G11C16/10(20060101)

分类号：G11C16/10(20060101);G11C16/30(20060101);G11C16/04(20060101);H01L27/11582(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/11524(20170101)

优先权：["20190329 CN 2019102520535"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.03.23#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：公开了3D存储器件和用于操作所述3D存储器件的方法的实施例。在示例中，公开了一种用于操作3D存储器件的方法。所述3D存储器件包括存储堆栈，每个存储堆栈在竖直方向上包括多个存储层。第一存储堆栈中的每个存储层被第一编程。第一编程包括将编程电压施加至所述存储层，并且将小于所述编程电压的第一沟道通过电压施加至其余存储层中的每者。处于所述第一存储堆栈上方的第二存储堆栈中的每个存储层被第二编程，所述第二编程包括：将所述编程电压施加至所述存储层，并且将所述第一沟道通过电压施加至其余存储层中的每者。所述第二编程还包括：将小于所述第一沟道通过电压的第二沟道通过电压施加至所述第一存储堆栈中的每个存储层。

主权项：1.一种用于操作三维3D存储器件的方法，其中，所述3D存储器件包括多个存储堆栈，每个存储堆栈在竖直方向上包括多个存储层，所述方法包括：对所述多个存储堆栈中的第一存储堆栈中的每个存储层进行第一编程，所述第一编程包括将编程电压施加至所述存储层，并且将小于所述编程电压的第一沟道通过电压施加至所述第一存储堆栈中的其余存储层中的每者；以及对所述多个存储堆栈中的处于所述第一存储堆栈上方的第二存储堆栈中的每个存储层进行第二编程，所述第二编程包括i将所述编程电压施加至所述存储层，并且将所述第一沟道通过电压施加至所述第二存储堆栈中的其余存储层中的每者；以及ii将小于所述第一沟道通过电压的第二沟道通过电压施加至所述第一存储堆栈中的每个存储层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有减小的干扰的三维存储器件编程

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