申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-08-23

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN110896673A

主分类号：H01L27/11578(20170101)

分类号：H01L27/11578(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11568(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.19#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.03.20#公开

摘要：提供了用于形成三维3D存储器件的结构和方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括存储堆叠层、多个沟道结构、缝隙结构和源极结构。所述存储堆叠层可以是位于衬底上的，并且可以包括在横向上在所述存储堆叠层中延伸的交织的多个导体层和多个绝缘层。所述多个沟道结构可以在纵向上贯穿所述存储堆叠层延伸到所述衬底中。所述缝隙结构可以在纵向和横向上在所述存储堆叠层中延伸，并且将所述多个存储单元划分成至少一个存储块。所述缝隙结构可以包括沿所述缝隙结构的侧壁在纵向上布置的多个凸出部分和多个凹陷部分。

主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：衬底上的存储堆叠层，所述存储堆叠层包括在横向上在所述存储堆叠层中延伸的交织的多个导体层和多个绝缘层；在纵向上贯穿所述存储堆叠层延伸到所述衬底中的多个沟道结构，所述多个沟道结构和所述多个导体层与彼此相交，并且构成多个存储单元；在纵向和横向上在所述存储堆叠层中延伸并且将所述多个存储单元划分成至少一个存储块的缝隙结构，所述缝隙结构包括在纵向上沿所述缝隙结构的侧壁布置的多个凸出部分和多个凹陷部分；以及所述缝隙结构中的源极结构，所述源极结构包括与所述缝隙结构接触的绝缘结构和位于所述绝缘结构中并且与所述衬底接触的源极触点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于利用支撑结构形成三维存储器件的方法和产生的三维存储器件

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