申请/专利权人：珠海纳睿达科技有限公司

申请日：2019-07-25

公开（公告）日：2020-03-20

公开（公告）号：CN210167505U

主分类号：H01Q1/38(20060101)

分类号：H01Q1/38(20060101);H01Q1/48(20060101);H01Q1/50(20060101);H01Q13/10(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.03.20#授权

摘要：本申请提出一种宽带SIW缝隙天线，包括：介质基片，包括上表面和下表面；上表面金属层，覆盖在所述介质基片的上表面处；下表面金属层，覆盖在所述介质基片的下表面处；金属化通孔阵列，以指定方向排列在所述介质基片上，并贯穿所述介质基片以及所述上表面金属层和所述下表面金属层；矩形缝隙，蚀刻在所述上表面金属层上；以及馈电结构，设置在所述介质基片上并连接至同轴线，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线向外辐射。其中，所述金属化通孔阵列、所述上表面金属层和所述下表面金属层构成一段封闭的基片集成波导腔体。所述金属化通孔阵列排列为包围所述矩形缝隙的矩形，并使得与所述矩形缝隙的长边形成夹角。

主权项：1.一种宽带SIW缝隙天线1，包括：介质基片10，包括上表面和下表面；上表面金属层20，覆盖在所述介质基片10的上表面处；下表面金属层30，覆盖在所述介质基片10的下表面处；金属化通孔阵列40，以指定方向排列在所述介质基片10上，并贯穿所述介质基片10，以开设至所述上表面金属层20和所述下表面金属层30；矩形缝隙50，蚀刻在所述上表面金属层20上；馈电结构60，包括：蚀刻图案64，蚀刻在所述下表面金属层30的金属化孔62外；金属化孔62，贯穿所述介质基片10和所述上表面金属层20，并通过所述蚀刻图案64与所述下表面金属层30隔开；以及同轴线或同轴接头70，所述同轴线或同轴接头70的内导体连接至所述金属化孔62，所述同轴线或同轴接头70的外导体连接至所述下表面金属层30，以接收外部信号并激励所述宽带SIW缝隙天线1向外辐射；其中，所述金属化通孔阵列40、所述上表面金属层20和所述下表面金属层30构成一段封闭的基片集成波导腔体，所述金属化通孔阵列40排列为包围所述矩形缝隙50的矩形，并使得与所述矩形缝隙50的长边形成夹角。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海纳睿达科技有限公司 一种宽带SIW缝隙天线

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