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【实用新型】一种吸波结构_深圳市环波科技有限责任公司_201921265385.9 

申请/专利权人:深圳市环波科技有限责任公司

申请日:2019-08-02

公开(公告)日:2020-03-20

公开(公告)号:CN210167509U

主分类号:H01Q17/00(20060101)

分类号:H01Q17/00(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.03.20#授权

摘要:本实用新型提供了一种吸波结构,包括介质基材层、设置于介质基材层一表面的导体结构层,及设置于介质基材层另一表面的导体反射层;导体结构层包括第一结构,第一结构包括外框部和位于外框部内的中心结构;外框部包括N个带状结构、连接于N个带状结构中每两个相邻的带状结构之间的N个集成导体;中心结构包括一级子结构和二级子结构;一级子结构和二级子结构均为轴对称结构;一级子结构包括两个边部及连接两个边部的腰部,每个边部至少具有2个端部;二级子结构包括两个边部及连接两个边部的腰部,每个边部至少具有1个端部;一级子结构所包括的端部中的每个端部连接二级子结构的腰部,一级子结构的尺寸大于二级子结构的尺寸。该吸波结构实现吸收特定频率的电磁波。

主权项:1.一种吸波结构,其特征在于:包括介质基材层、设置于所述介质基材层一表面的导体结构层,及设置于所述介质基材层另一表面的导体反射层;所述导体结构层包括第一结构,所述第一结构包括外框部和位于所述外框部内的中心结构;所述外框部包括N个带状结构和N个集总电阻;所述N个集总电阻中每个集总电阻连接于所述N个带状结构中每两个相邻的带状结构之间;所述中心结构包括一级子结构和二级子结构;所述一级子结构和所述二级子结构均为轴对称结构;所述一级子结构包括两个边部及连接所述两个边部的腰部,所述一级子结构的每个所述边部至少具有2个端部;所述二级子结构包括两个边部及连接所述两个边部的腰部,所述二级子结构的每个所述边部至少具有1个端部;所述一级子结构所包括的端部中的每个端部连接所述二级子结构的腰部,所述一级子结构的尺寸大于所述二级子结构的尺寸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳市环波科技有限责任公司 一种吸波结构

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