申请/专利权人：浜松光子学株式会社

申请日：2018-06-13

公开（公告）日：2020-03-24

公开（公告）号：CN110914963A

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101);G01R31/28(20060101);H01L21/301(20060101)

优先权：["20170718 JP 2017-139301"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2024.02.09#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.04.17#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要：本发明提供一种可对应于集成电路的高密度化的半导体制造方法。本发明的一方式所涉及的半导体制造方法具备如下工序：与具有多个芯片形成区域的晶圆的各芯片形成区域对应而形成：记忆胞；光电二极管，其输出对应于所输入的光信号的电信号；及信号处理电路，其基于自光电二极管输出的电信号而产生逻辑信号并将该逻辑信号输出至记忆胞；在形成的工序之后，将用于记忆胞的动作确认的泵浦光向光电二极管输入，检查记忆胞的动作状态；及在检查的工序之后，按每个芯片形成区域进行切割。

主权项：1.一种半导体制造方法，其特征在于，具备：与具有多个芯片形成区域的半导体晶圆的各芯片形成区域对应而形成内部电路、受光元件及信号处理电路的工序，所述受光元件输出对应于所输入的光信号的电信号，所述信号处理电路基于自所述受光元件输出的所述电信号产生逻辑信号并将该逻辑信号输出至所述内部电路；在所述形成的工序之后，将用于所述内部电路的动作确认的第1光信号向所述受光元件输入，检查所述内部电路的动作状态的工序；及在所述检查的工序之后，按每个所述芯片形成区域进行切割的工序。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浜松光子学株式会社 半导体制造方法及晶圆检查方法

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