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【实用新型】一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置_深圳创富天成电子科技有限公司_201921213866.5 

申请/专利权人:深圳创富天成电子科技有限公司

申请日:2019-07-30

公开(公告)日:2020-03-24

公开(公告)号:CN210182402U

主分类号:H01L33/08(20100101)

分类号:H01L33/08(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/64(20100101);H01L33/58(20100101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.03.24#授权

摘要:本实用新型属于半导体的技术领域,具体涉及一种高效率的半导体发光元件,包括若干个半导体层1,相邻两个所述半导体层1的电性不相同,相邻两个半导体层1之间设置有发光层2,最顶部的所述半导体层1的上方和最底部的所述半导体层1的下方均设置有绝缘沟槽层3,所述绝缘沟槽层3内填充有散热材料4,若干个所述半导体层1形成的侧部设置有透光板5,所述透光板5的表面固定有发散层6。本实用新型采用易于生产的设计,有助于降低生产成本,同时,能够进行多面发光,有助于提高半导体发光元件的发光效率。

主权项:1.一种高效率的半导体发光元件,其特征在于:包括若干个半导体层1,相邻两个所述半导体层1的电性不相同,相邻两个半导体层1之间设置有发光层2,最顶部的所述半导体层1的上方和最底部的所述半导体层1的下方均设置有绝缘沟槽层3,所述绝缘沟槽层3内填充有散热材料4,若干个所述半导体层1形成的侧部设置有透光板5,所述透光板5的表面固定有发散层6。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳创富天成电子科技有限公司 一种高效率的半导体发光元件及半导体发光装置

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