申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2018-09-21

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943066A

主分类号：H01L23/498(20060101)

分类号：H01L23/498(20060101);H01L21/52(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.10#发明专利申请公布后的驳回;2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：本发明公开一种具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法，该具有高电阻晶片的半导体结构包含一元件晶片，元件晶片包含一正面和一背面，一半导体元件设置于正面，一层间介电层覆盖正面，一高电阻晶片由一绝缘材料组成以及一介电层包覆高电阻晶片，其中介电层接触层间介电层。

主权项：1.一种具有高电阻晶片的半导体结构，其特征在于，包含：元件晶片，包含正面和背面；半导体元件，设置于该正面；层间介电层，覆盖该正面；高电阻晶片，由绝缘材料组成；以及介电层，包覆该高电阻晶片，其中该介电层接触该层间介电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法

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