申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司

申请日：2018-09-21

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110942992A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.08.17#授权;2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：本发明涉及一种垂直双扩散半导体元器件的制造方法及垂直双扩散半导体元器件，在P阱内形成N型源区，在多晶硅栅的上表面、多晶硅栅的侧面及栅氧化层上形成第一二氧化硅层，第一二氧化硅层的厚度范围为在第一二氧化硅层上形成氮化硅层，氮化硅层的厚度范围为在P阱内形成P型体区。通过降低氮化硅层的厚度来降低氮化硅层对半导体衬底的压力，从而有效降低了半导体衬底的晶体缺陷，进而有效防止垂直双扩散半导体元器件漏电失效。通过形成的第一二氧化硅层可以有效抑制在P阱表面掺杂P型杂质的过程中，抑制该P型杂质向垂直双扩散半导体元器件的沟道扩散，保证了该垂直双扩散半导体元器件的开启电压。

主权项：1.一种垂直双扩散半导体元器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有P阱，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极包括栅氧化层和在所述栅氧化层上生成的多晶硅栅；在所述P阱内形成N型源区；在所述多晶硅栅的上表面、所述多晶硅栅的侧面及所述栅氧化层上形成第一二氧化硅层，所述第一二氧化硅层的厚度范围为在所述第一二氧化硅层上形成氮化硅层，所述氮化硅层的厚度范围为在所述P阱内形成P型体区，所述P型体区与所述N型源区分离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 垂直双扩散半导体元器件及其制造方法

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