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【发明公布】半导体器件_长鑫存储技术有限公司_201811117838.3 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2018-09-21

公开(公告)日:2020-03-31

公开(公告)号:CN110943078A

主分类号:H01L27/088(20060101)

分类号:H01L27/088(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要:本发明提供了一种半导体器件,包括衬底,所述衬底中形成有定义出有源区的沟槽隔离结构,所述衬底上形成有栅电极,所述栅电极位于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构,所述栅电极在所述有源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有凸出部,以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中心区域上的横向宽度尺寸,进而增加了所述交界处的沟道的长度,降低了水平电场,从而提升器件的性能,同时,由于一个有源区上的两个所述栅电极在所述漏区和所述沟槽隔离结构的交界处不具有凸出部,使对应同一有源区的两个所述栅电极之间的间隔尺寸减小了,从而有利于器件的微缩。

主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:衬底,所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构,所述沟槽隔离结构定义出有源区;以及,栅电极,形成于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构,其中,一个所述有源区对应两个所述栅电极,且所述栅电极在所述源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有横向凸出的凸出部,所述凸出部的横向凸出方向垂直于所述栅电极的延伸方向,以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中间区域的横向宽度尺寸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体器件

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