申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-05-22

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943079A

主分类号：H01L27/088(20060101)

分类号：H01L27/088(20060101);H01L21/8234(20060101)

优先权：["20180921 US 62/734,567","20181228 US 16/235,610"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.03.08#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.03.31#公开

摘要：提供了一种半导体元件。半导体元件包括在基板上方形成的栅极结构。间隔层在栅极结构的侧部分上形成。第一介电层在栅极结构上方形成。导电覆盖层穿过第一介电层并且在栅极结构上方形成。导电覆盖层的顶表面在间隔层的顶表面之上。半导体元件进一步包括在导电覆盖层上方形成的导电层。导电层与导电覆盖层电耦接。

主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一栅极结构，形成于基板上方；一间隔层，形成于该栅极结构的侧部分上；一第一介电层，形成于该栅极结构上方；一导电覆盖层，穿过该第一介电层并且在该栅极结构上方形成，该导电覆盖层的一顶表面在该间隔层的一顶表面之上；以及一导电层，形成于该导电覆盖层上方，该导电层与该导电覆盖层电耦接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体元件

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