申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-07-08

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943080A

主分类号：H01L27/088(20060101)

分类号：H01L27/088(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：["20180921 KR 10-2018-0113739"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.14#授权;2021.08.13#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：一种半导体器件包括：有源区域，在衬底上沿第一方向延伸；掩埋导电层，在衬底上与有源区域相邻设置并沿第一方向延伸；栅电极，交叉有源区域并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源漏层，在栅电极的一侧设置在有源区域上；栅隔离图案，设置在掩埋导电层上以与栅电极的一端相邻设置，并沿第一方向延伸；以及接触插塞，设置在源漏层上、电连接到掩埋导电层并与栅隔离图案接触。

主权项：1.一种半导体器件，包括：有源区域，在衬底上沿第一方向延伸；掩埋导电层，在所述衬底上沿所述第一方向延伸，使得所述掩埋导电层与所述有源区域相邻；栅电极，沿交叉所述第一方向的第二方向延伸，使得所述栅电极交叉所述有源区域；源漏层，在所述栅电极的一侧在所述有源区域上；栅隔离图案，在所述掩埋导电层上沿所述第一方向延伸，所述栅隔离图案与所述栅电极的一端相邻；以及接触插塞，在所述源漏层上并且延伸以电连接到所述掩埋导电层，所述接触插塞与所述栅隔离图案接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD