申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-08-19

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943090A

主分类号：H01L27/1157(20170101)

分类号：H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101)

优先权：["20180921 KR 10-2018-0114033"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：提供了一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：多个栅电极层，彼此分隔开并堆叠在基底上，并且在第一方向上以不同长度延伸且形成阶梯结构；第一层间绝缘层，覆盖所述多个栅电极层的阶梯结构；以及多个栅极接触插塞，贯穿第一层间绝缘层并且分别接触栅电极层。所述多个栅电极层包括与基底相邻设置的下栅电极层和设置在下栅电极层上的上栅电极层，使得下栅电极层位于基底与上栅电极层之间。所述多个栅极接触插塞包括连接到下栅电极层的下栅极接触插塞和连接到上栅电极层的上栅极接触插塞。上栅极接触插塞具有设置在比下栅极接触插塞的顶表面的高度高的高度处的最顶部部分。

主权项：1.一种垂直型存储器装置，所述垂直型存储器装置包括：多个栅电极层，彼此分隔开并堆叠在基底上，并且在第一方向上以不同长度延伸且形成阶梯结构；第一层间绝缘层，覆盖所述多个栅电极层的所述阶梯结构；以及多个栅极接触插塞，贯穿所述第一层间绝缘层并且分别接触所述多个栅电极层，其中，所述多个栅电极层包括与所述基底相邻设置的下栅电极层和设置在所述下栅电极层上的上栅电极层，使得所述下栅电极层位于所述基底与所述上栅电极层之间；其中，所述多个栅极接触插塞包括连接到所述下栅电极层的下栅极接触插塞和连接到所述上栅电极层的上栅极接触插塞，并且其中，所述上栅极接触插塞具有设置在比所述下栅极接触插塞的顶表面的高度高的高度处的最顶部部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 垂直型存储器装置

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