申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2019-08-30

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943081A

主分类号：H01L27/088(20060101)

分类号：H01L27/088(20060101);H01L27/092(20060101);H01L21/8234(20060101);H01L21/8238(20060101)

优先权：["20180925 US 62/736,054","20190219 US 16/279,824"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.03.08#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.03.31#公开

摘要：本公开提供一种半导体装置，其包括第一装置鳍状物与第二装置鳍状物、第一虚置鳍状物与第二虚置鳍状物以及第三装置鳍状物与第四装置鳍状物。第一装置鳍状物与第二装置鳍状物其各自位于半导体装置的第一区中。第一区具有第一图案密度。第一虚置鳍状物位于第一区中。第一虚置鳍状物位于第一装置鳍状物与第二装置鳍状物之间。第一虚置鳍状物具有第一高度。第三装置鳍状物与第四装置鳍状物，各自位于半导体装置的第二区中。第二区具有第二图案密度，且第二图案密度大于第一图案密度。第二虚置鳍状物位于第二区中。第二虚置鳍状物位于第三装置鳍状物与第四装置鳍状物之间。第二虚置鳍状物具有第二高度，且第二高度大于第一高度。

主权项：1.一种半导体装置，包括：一第一装置鳍状物与一第二装置鳍状物，各自位于一半导体装置的一第一区中，且该第一区具有一第一图案密度；一第一虚置鳍状物，位于该第一区中，其中该第一虚置鳍状物位于该第一装置鳍状物与该第二装置鳍状物之间，且该第一虚置鳍状物具有一第一高度；一第三装置鳍状物与一第四装置鳍状物，各自位于该半导体装置的一第二区中，该第二区具有一第二图案密度，且该第二图案密度大于该第一图案密度；以及一第二虚置鳍状物，位于该第二区中，其中该第二虚置鳍状物位于该第三装置鳍状物与该第四装置鳍状物之间，该第二虚置鳍状物具有一第二高度，且该第二高度大于该第一高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置

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