申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2019-09-04

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943059A

主分类号：H01L23/48(20060101)

分类号：H01L23/48(20060101);H01L23/485(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/60(20060101)

优先权：["20180921 KR 10-2018-0114074"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：本发明公开了一种垂直存储器件以及用于制造其的方法。垂直存储器件包括：衬底、在单元阵列区中垂直层叠在所述衬底上的多个栅电极、以及在接触区中形成在所述衬底上的多个多层焊盘部分。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分从所述多个栅电极中的栅电极的端部延伸。所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分包括：下焊盘、与所述下焊盘垂直间隔开的上焊盘、形成在所述下焊盘和所述上焊盘之间的缓冲焊盘、以及将所述下焊盘和所述上焊盘互连的焊盘互连部分。

主权项：1.一种垂直存储器件，包括：衬底；在单元阵列区中垂直层叠在所述衬底上的多个栅电极；以及在接触区中形成在所述衬底上的多个多层焊盘部分，其中，所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分从所述多个栅电极中的栅电极的端部延伸，并且其中，所述多个多层焊盘部分中的每个多层焊盘部分包括：下焊盘；与所述下焊盘垂直间隔开的上焊盘；形成在所述下焊盘和所述上焊盘之间的缓冲焊盘；以及将所述下焊盘和所述上焊盘互连的焊盘互连部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 垂直存储器件以及用于制造其的方法

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