申请/专利权人：环球晶圆日本股份有限公司;国立大学法人东北大学

申请日：2018-07-17

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110945632A

主分类号：H01L21/336(20060101)

分类号：H01L21/336(20060101);H01L21/316(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：["20170719 JP 2017-140079"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.07.28#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：【技术问题】提供一种三维结构体的制造方法、垂直晶体管的制造方法、垂直晶体管用晶元以及垂直晶体管用基板，其能够抑制热处理造成的Si释放，并能够使以Si为主体的芯部与氧化膜的边界面比较平滑。【解决方案】当通过蚀刻对具有氧浓度为1×1017atomscm3以上的表层的单晶硅基板的表层进行加工而形成了三维形状后，通过进行热处理而在该三维形状的表面形成氧化膜，从而制造三维结构体。三维结构体形成在硅基板的厚度方向具有凹凸的形状，沿着硅基板的厚度方向的高度是1nm以上且1000nm以下，优选是1nm以上且100nm以下。

主权项：1.一种三维结构体的制造方法，其特征在于，在对具有氧浓度在1×1017atomscm3以上的表层的硅基板的所述表层进行加工而形成了三维形状后，通过进行热处理而在所述三维形状的表面形成氧化膜，从而制造三维结构体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 环球晶圆日本股份有限公司;国立大学法人东北大学 三维结构体的制造方法、垂直晶体管的制造方法、垂直晶体管用晶元以及垂直晶体管用基板

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