申请/专利权人：道达尔公司;综合工科学校;科学研究国家中心

申请日：2018-05-18

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110945623A

主分类号：H01J37/32(20060101)

分类号：H01J37/32(20060101);C23C14/04(20060101);C23C16/04(20060101);H01L21/266(20060101);H01L21/311(20060101);H01L21/3213(20060101)

优先权：["20170519 EP 17305586.4"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.16#授权;2020.06.05#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：用于图案化处理的装置包括：输入气体2的源；适合于在等离子体区域中从输入气体2产生等离子体的能量源；以及被构造用于接收固体样品5的接地样品架12。根据本发明，该装置包括被布置在等离子体区域和接地样品架12之间的掩模4，该掩模4具有朝向等离子体区域的第一面45和朝向要处理的固体样品5的表面51的第二面46，掩模4包括从第一面到第二面延伸的掩模开口40，以及适用于将直流偏置电压施加到掩模上的电源16，并且掩模开口40的尺寸和形状被确定为以便在固体样品5的表面51上产生空间选择性的图案化处理。

主权项：1.一种用于图案化处理的装置，包括：-输入气体的源2；-适合于激发所述输入气体2并在等离子体区域中产生等离子体20的能量源；以及-被构造成用于接收固体样品5的接地样品架12；其特征在于，所述装置包括：-掩模4，被布置在所述等离子体区域和所述接地样品架12之间，所述掩模4具有朝向所述等离子体区域的第一面45和朝向要处理的所述固体样品5的表面51的第二面46，所述掩模4包括从所述第一面穿过所述掩模延伸到所述第二面的至少一个掩模开口40、43、44；以及-电源16，适于将直流非零偏置电压施加到所述掩模，所述掩模4被放置在距所述固体样品5的所述表面51小于阈值距离的距离D2处，以防止在所述掩模4和所述固体样品5之间产生等离子体，并且所述掩模开口40、43、44的尺寸和形状被确定为通过从所述等离子体20选择离子并将其聚集在所述固体样品5的所述表面51上来产生空间选择性的图案化处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 道达尔公司;综合工科学校;科学研究国家中心 用于图案化处理的装置和方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD