申请/专利权人：株式会社电装

申请日：2018-07-26

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110945633A

主分类号：H01L21/337(20060101)

分类号：H01L21/337(20060101);H01L21/338(20060101);H01L29/808(20060101);H01L29/812(20060101)

优先权：["20170726 JP 2017-144726","20180620 JP 2018-117316"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.11#授权;2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：具备：第1导电型的漂移层13；第1导电型的沟道层14，配置在漂移层13上；第1导电型的源极层15，形成在沟道层14的表层部；第2导电型的栅极层16，形成在沟道层15；第2导电型的体层17，形成在沟道层15；漏极层11，隔着漂移层13而配置在与源极层15相反的一侧；栅极布线19，与栅极层16电连接；第1电极21，与源极层15及体层17电连接；以及第2电极22，与漏极层11电连接。并且，在体层17的底部侧，与栅极层16的底部侧相比，使电场强度更高。

主权项：1.一种半导体装置，形成有结型FET，其特征在于，具备：第1导电型的漂移层13；第1导电型的沟道层14，配置在上述漂移层上；第1导电型的源极层15，形成在上述沟道层的表层部，与上述沟道层相比为高杂质浓度；第2导电型的栅极层16，在上述沟道层中形成得比上述源极层深；第2导电型的体层17，在上述沟道层中形成得比上述源极层深；漏极层11，隔着上述漂移层而配置在与上述源极层相反的一侧；栅极布线19，与上述栅极层电连接；第1电极21，与上述源极层及上述体层电连接；以及第2电极22，与上述漏极层电连接；在上述体层的底部侧，与上述栅极层的底部侧相比，电场强度更高。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社电装 半导体装置

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