申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2019-11-28

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110943186A

主分类号：H01L51/54(20060101)

分类号：H01L51/54(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/56(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.01.01#授权;2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：本申请公开了一种钙钛矿图案化薄膜及其制备方法与显示装置，所述方法包括：S1：将钙钛矿前驱体、聚合物单体、光引发剂以及交联剂混合，形成预聚混合胶体溶液；S2：在基底上形成挡墙；S3：将预聚混合胶体溶液涂布在形成有挡墙的基底上，形成预聚混合物膜层；S4：在光罩的遮挡下，使用紫外光照射所述预聚混合物膜层，形成部分聚合混合物膜层；S5：使用有机溶剂喷淋所述部分聚合混合物膜层，溶解去除未发生聚合的部分，形成聚合混合物膜层；S6：除去所述聚合混合物膜层中的第一有机溶剂，即形成所述钙钛矿图案化薄膜。使用该方法可有效提高钙钛矿材料的稳定性，同时实现了钙钛矿材料的图案化。

主权项：1.一种钙钛矿图案化薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：S1：将钙钛矿前驱体、聚合物单体、光引发剂以及交联剂混合，形成预聚混合胶体溶液；S2：在基底上涂布一层光阻，对所述光阻进行曝光显影，图案化形成挡墙；S3：将所述预聚混合胶体溶液涂布在形成有所述挡墙的基底上，形成预聚混合物膜层；S4：在光罩的遮挡下，使用紫外光照射所述预聚混合物膜层，形成部分聚合混合物膜层；S5：使用第一有机溶剂喷淋所述部分聚合混合物膜层，溶解去除未发生聚合的部分，形成聚合混合物膜层；S6：除去所述聚合混合物膜层中的第一有机溶剂，即形成所述钙钛矿图案化薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 钙钛矿图案化薄膜及其制备方法与显示装置

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