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【发明公布】具有掩埋栅极结构的FET_特励达科学与成像有限责任公司_201880044946.4 

申请/专利权人:特励达科学与成像有限责任公司

申请日:2018-07-05

公开(公告)日:2020-04-10

公开(公告)号:CN110998859A

主分类号:H01L29/778(20060101)

分类号:H01L29/778(20060101)

优先权:["20170706 US 15/643,343"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.05.05#实质审查的生效;2020.04.10#公开

摘要:一种具有掩埋栅极结构的FET。该FET的栅极电极包括多个掩埋栅极结构,该结构的顶部在基板的顶表面上方延伸,并且该结构的底部被掩埋到至少等于沟道层的底部的深度或针对HEMT的沟道层内的2DEG平面的深度,使得掩埋栅极结构仅从沟道层侧接触沟道层。在基板顶表面上方且不与基板顶表面接触的头部,接触掩埋栅极结构的顶部并互连所有掩埋栅极结构。漏极电流通过掩埋栅极结构对沟道层进行横向选通来通过沟道宽度调制来控制。FET可以包括至少一个场板,该场板包括狭缝结构,在狭缝结构中,场板被分成多个段。

主权项:1.一种场效应晶体管FET,包括:基板;在所述基板上的外延缓冲层;在所述缓冲层上的外延沟道层;在所述基板的顶表面上的源极电极和漏极电极;以及栅极电极,包括:多个掩埋栅极结构,多个所述掩埋栅极结构的顶部在所述基板的顶表面上方延伸,并且多个所述掩埋栅极结构的底部被掩埋到至少等于所述沟道层的载流部的底部的深度,使得所述掩埋栅极结构仅从所述沟道层侧接触所述沟道层;以及头部,在所述基板的顶表面上方且不与所述基板的顶表面接触,所述头部接触所述掩埋栅极结构并互连所有所述掩埋栅极结构;使得所述FET的漏极电流通过所述掩埋栅极结构对所述沟道层进行横向选通来通过沟道宽度调制来控制。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 特励达科学与成像有限责任公司 具有掩埋栅极结构的FET

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