申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2017-06-30

公开（公告）日：2020-04-10

公开（公告）号：CN107275333B

主分类号：H01L27/11573(20170101)

分类号：H01L27/11573(20170101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.04.10#授权;2017.11.17#实质审查的生效;2017.10.20#公开

摘要：本发明公开了一种SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件，包括由第一和二栅介质层组成的双栅介质层结构；第一栅介质层形成于体注入区表面并延伸到漂移区表面；第二栅介质层形成于述漂移区表面，第一和二栅介质层横向接触且第一栅介质层较薄；多晶硅栅由覆盖在双栅介质层表面。第二栅介质层由注入掩蔽层和ONO层叠加而成，注入掩蔽层和定义SONOS非挥发性存储器的沟道区注入窗口的介质层工艺相同且同时形成，ONO层和SONOS非挥发性存储器的栅极ONO层工艺相同且同时形成。本发明还公开了一种SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件的制造方法，本发明的第二栅介质层不需采用额外光刻工艺形成，能降低工艺成本。

主权项：1.一种SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件，其特征在于：DMOS器件和SONOS非挥发性存储器集成在同一半导体衬底上，所述DMOS器件包括由第一栅介质层和第二栅介质层组成的双栅介质层结构，所述DMOS器件包括：具有第一导电类型的漂移区；具有第二导电类型的体注入区，所述体注入区和所述漂移区横向接触；所述第一栅介质层形成于所述体注入区表面并延伸到所述漂移区表面；所述第二栅介质层形成于所述漂移区表面，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层横向接触且所述第一栅介质层的厚度薄于所述第二栅介质层的厚度；多晶硅栅由覆盖在所述第一栅介质层和所述第二栅介质层表面的多晶硅组成；被所述多晶硅栅所覆盖的所述体注入区表面用于形成所述DMOS器件的沟道；所述第二栅介质层由注入掩蔽层和ONO层叠加而成，所述注入掩蔽层和SONOS非挥发性存储器工艺中定义SONOS非挥发性存储器的沟道区注入窗口的介质层工艺相同且为同时形成的集成结构，所述ONO层和所述SONOS非挥发性存储器的栅极ONO层工艺相同且为同时形成的集成结构；呈集成结构的所述注入掩蔽层和所述ONO层使所述第二栅介质层不需采用额外的光刻工艺形成，降低工艺成本。

全文数据：SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件及制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件。本发明还涉及一种S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法背景技术[0002]随着集成电路的发展，单芯片系统集成成为趋势。这就需要在一块芯片上同时拥有微控制单元MCU的智能控制电路，非挥发性存储器电路和模拟或高压电路。[0003]在S0N0S非挥发性存储器制造工艺中，通过加入高压金属氧化物半导体器件和模拟器件可以在同一套工艺中提供:逻辑，非挥发性存储器，高压和模拟等器件。为单芯片系统集成电路设计提供了必要的条件。其中，逻辑器件即为CMOS器件如NM0S管和PM0S器件，非挥发性存储器件即S0N0S非挥发性存储器，高压和模拟器件需要承受比逻辑和非挥发性存储器更高的工作电压，如高压和模拟器件为DM0S器件。其中，S0N0S表示具有硅，氧化层，氮化层，氧化层和硅的叠层结构。[0004]现有DM0S器件中通常会采用到双栅氧，称为双栅氧高压DM0S器件，和在漂移区顶部的多晶硅栅底部会采用场氧不同，双栅氧高压DM0S器件在沟道区也即体注入区或简称体区采用薄栅氧，在漂移区采用厚栅氧。双栅氧的结构能使器件在达到击穿电压要求的前提下，使器件的导通电阻比在漂移区采用场氧的器件更低。[0005]现有技术中，双栅氧高压DM0S需要在形成漂移区的厚栅氧时增加一次额外的光亥IJ，这会带来额外的工艺成本，使工艺成本增加。发明内容[0006]本发明所要解决的技术问题是提供一种S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件，DM0S器件具有双栅介质层结构且不需要采用额外的光刻工艺形成双栅介质层，从而能降低工艺成本。为此，本发明还提供一种S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法。[0007]为解决上述技术问题，本发明提供的S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件和S0N0S非挥发性存储器集成在同一半导体衬底上，所述DM0S器件包括由第一栅介质层和第二栅介质层组成的双栅介质层结构，所述DM0S器件包括：[0008]具有第一导电类型的漂移区。[0009]具有第二导电类型的体注入区，所述体注入区和所述漂移区横向接触。[0010]所述第一栅介质层形成于所述体注入区表面并延伸到所述漂移区表面。[0011]所述第二栅介质层形成于所述漂移区表面，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层横向接触且所述第一栅介质层的厚度薄于所述第二栅介质层的厚度。[0012]多晶硅栅由覆盖在所述第一栅介质层和所述第二栅介质层表面的多晶硅组成;被所述多晶硅栅所覆盖的所述体注入区表面用于形成所述DM0S器件的沟道。[0013]所述第二栅介质层由注入掩蔽层和0N0层叠加而成，所述注入掩蔽层和S0N0S非挥发性存储器工艺中定义S〇N〇S非挥发性存储器的沟道区注入窗口的介质层工艺相同且为同时形成的集成结构，所述〇N〇层和所述S0N0S非挥发性存储器的栅极0N0层工艺相同且为同时形成的集成结构;呈集成结构的所述注入掩蔽层和所述〇N〇层使所述第二栅介质层不需采用额外的光刻工艺形成，降低工艺成本。其中，〇N〇层表示氧化层，氮化层和氧化层的叠层结构。[0014]进一步的改进是，所述第一栅介质层的材料为热氧化层。[0015]进一步的改进是，所述漂移区和所述体注入区都形成于具有第一导电类型的深阱中。[0016]进一步的改进是，源区由形成于所述体注入区中的第一导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述多晶硅栅的第一侧面自对准。[0017]漏区由形成于所述漂移区中的第一导电类型重掺杂区组成，所述漏区和所述多晶硅栅的第二侧面具有间距。[0018]进一步的改进是，在所述体注入区表面形成有由第二导电类型掺杂区组成的体引出区。[0019]进一步的改进是，在所述半导体衬底上还集成有CMOS器件，所述CMOS器件的栅极介质层和所述第一栅介质层的工艺条件相同且为同时形成的集成结构。[0020]进一步的改进是，在所述半导体衬底上形成有场氧化层，由所述场氧化层隔离出形成所述DM0S器件的有源区。[0021]进一步的改进是，所述DM0S器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型;或者，所述DM0S器件为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。[0022]为解决上述技术问题，本发明提供的S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法包括如下步骤：[0023]步骤一、在半导体衬底上的DM0S器件的形成区域中形成DM0S器件的漂移区，体注入区，所述漂移区具有第一导电类型，所述体注入区具有第二导电类型，所述体注入区和所述漂移区横向接触。[0024]步骤二、形成注入掩蔽层，采用光刻刻蚀对所述注入掩蔽层进行刻蚀，刻蚀后的所述注入掩蔽层将和DM0S器件集成在同一所述半导体衬底上S0N0S非挥发性存储器的沟道区注入窗口打开，所述注入掩蔽层会覆盖在所述DM0S器件的形成区域的表面;之后进行离子注入形成所述S0N0S非挥发性存储器的沟道区。[0025]步骤三、生长0N0层，采用光刻刻蚀对所述0N0层进行刻蚀以及对所述0N0层保留区域之外的所述注入掩蔽层进行刻蚀并去除，刻蚀后的所述0N0层位于所述S0N0S非挥发性存储器的形成区域表面以及所述DM0S器件的形成区域的选定区域表面，由位于所述S〇N〇S非挥发性存储器的形成区域表面的0N0层组成所述S0N0S非挥发性存储器的栅极0N0层;所述DM0S器件的形成区域的选定区域表面的0N0层和其底部的所述注入掩蔽层组成所述DM〇S器件的所述第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述漂移区的表面。[0026]步骤四、形成所述DM0S器件的第一栅介质层，所述第一栅介质层位于所述体注入区的表面并延伸到所述漂移区表面，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层横向接触且所述第一栅介质层的厚度薄于所述第二栅介质层的厚度。[0027]步骤五、淀积多晶硅并对该多晶硅进行光刻刻蚀同时形成所述DM0S器件和所述SONOS非挥发性存储器的多晶硅栅;所述DMOS器件的多晶硅栅覆盖在所述第一栅介质层和所述第二栅介质层表面，被所述DM0S器件的多晶硅栅所覆盖的所述体注入区表面用于形成所述DM0S器件的沟道。[0028]进一步的改进是，步骤四中采用热氧化工艺形成所述第一栅介质层。[0029]进一步的改进是，在步骤一之前还包括在所述DM0S器件的形成区域中形成第一导电类型的深阱的步骤，所述漂移区和所述体注入区都形成于所述深阱中。[0030]进一步的改进是，步骤五之后，还包括进行第一导电类型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区的步骤，所述源区形成于所述体注入区并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准；所述漏区形成于所述漂移区中且所述漏区和所述多晶硅栅的第二侧面具有间距。[0031]步骤五之后，还包括进行第二导电类型重掺杂的离子注入在所述体注入区表面形成体引出区的步骤。[0032]进一步的改进是，步骤五之后，还包括在所述多晶硅栅的第一侧面和第二侧面形成侧墙的步骤。[0033]进一步的改进是，步骤四中的所述第一栅介质层也同时在所述CMOS器件的形成区域形成并作为所述CMOS器件的栅极介质层。[0034]进一步的改进是，步骤一之前还包括在所述半导体衬底上形成场氧化层的步骤，由所述场氧化层隔离出形成所述DM0S器件的有源区。[0035]本发明的DM0S器件集成于S0N0S非挥发性存储器工艺中，也即S0N0S非挥发性存储器会和DM0S器件集成在一起，本发明利用了S0N0S非挥发性存储器工艺中的S0N0S非挥发性存储器的沟道区注入窗口的介质层即注入掩蔽层和栅极0N0层来叠加形成DM0S器件的位于漂移区表面的第二栅介质层，这样使得DM0S器件的第二栅介质层能采用和S0N0S非挥发性存储器工艺中的注入掩蔽层和栅极0N0层的集成结构实现，不需要采用额外的光刻工艺来定义DM0S器件的第二栅介质层，从而能降低工艺成本。附图说明[0036]下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：[0037]图1是本发明实施例S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的结构示意图；[0038]图2A-图2F是本发明实施例S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法各步骤中的器件结构示意图。具体实施方式[0039]如图1所示，是本发明实施例S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的结构示意图;本发明实施例S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件和S0N0S非挥发性存储器集成在同一半导体衬底如娃衬底101上，半导体衬底101请参考后续的图2A，图1中没有显示半导体衬底101。所述DM0S器件包括由第一栅介质层5和第二栅介质层组成的双栅介质层结构，所述DM0S器件包括：[0040]具有第一导电类型的漂移区3。[0041]具有第二导电类型的体注入区4,所述体注入区4和所述漂移区3横向接触。[0042]所述第一栅介质层5形成于所述体注入区4表面并延伸到所述漂移区3表面。[0043]所述第二栅介质层形成于所述漂移区3表面，所述第一栅介质层5和所述第二栅介质层横向接触且所述第一栅介质层5的厚度薄于所述第二栅介质层的厚度。[0044]多晶硅栅7由覆盖在所述第一栅介质层5和所述第二栅介质层表面的多晶硅组成；被所述多晶硅栅7所覆盖的所述体注入区4表面用于形成所述DM0S器件的沟道。[0045]所述第二栅介质层由注入掩蔽层6a和0N0层6b叠加而成，所述注入掩蔽层6a和S0N0S非挥发性存储器工艺中定义S0N0S非挥发性存储器的沟道区注入窗口的介质层工艺相同且为同时形成的集成结构，所述0N0层6b和所述S0N0S非挥发性存储器的栅极0N0层6b工艺相同且为同时形成的集成结构;呈集成结构的所述注入掩蔽层6a和所述0N0层6b使所述第二栅介质层不需采用额外的光刻工艺形成，降低工艺成本。[0046]本发明实施例中，所述第一栅介质层5的材料为热氧化层。[0047]所述漂移区3和所述体注入区4都形成于具有第一导电类型的深阱1中。[0048]源区8由形成于所述体注入区4中的第一导电类型重掺杂区组成，所述源区8和所述多晶硅栅7的第一侧面自对准;较佳为，在所述多晶硅栅7的第一侧面和第二侧面形成侧墙11，所述源区8和所述多晶硅栅7的第一侧面的所述侧墙11自对准。[0049]漏区9由形成于所述漂移区3中的第一导电类型重掺杂区组成，所述漏区9和所述多晶硅栅7的第二侧面具有间距。[0050]在所述体注入区4表面形成有由第二导电类型掺杂区组成的体引出区10。[0051]在所述半导体衬底101上还集成有CMOS器件，所述CMOS器件的栅极介质层和所述第一栅介质层5的工艺条件相同且为同时形成的集成结构。[0052]在所述半导体衬底101上形成有场氧化层2,由所述场氧化层2隔离出形成所述DM0S器件的有源区。[0053]本发明实施例的DM0S器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。在其它实施例中也能为:所述DM0S器件为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。[0054]如图2A至图2F所示，是本发明实施例S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法各步骤中的器件结构示意图，本发明实施例方法展示同时形成集成在一起的CMOS器件如PM0S器件和NM0S器件，S0N0S非挥发性存储器和DM0S器件，本发明实施例S0N0S非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法包括如下步骤：[0055]步骤一、提供一半导体衬底如硅衬底101，在所述半导体衬底101上形成场氧化层2，由所述场氧化层2隔离出形成所述CMOS器件、所述S0N0S非挥发性存储器和所述DM0S器件的有源区。图2A中显示的形成所述CMOS器件、所述S0N0S非挥发性存储器和所述DM0S器件的有源区都相邻，实际上所述CMOS器件、所述S0N0S非挥发性存储器和所述DM0S器件的有源区的位置完全根据电路需要进行布置，图2A仅是为了同时显示所述CMOS器件、所述S0N0S非挥发性存储器和所述DM0S器件而将3个器件画在相邻的位置。_[0056]在形成所述场氧化层2之前或之后可以形成深阱结构，如图1中所示的具有第一导电类型的深阱1。[0057]之后，在半导体衬底101上的DM0S器件的形成区域中形成DM0S器件的漂移区3，体注入区4,所述漂移区3具有第一导电类型，所述体注入区4具有第二导电类型j斤述体注七区4和所述漂移区3横向接触。漂移区3,体注入区4和深阱1的结构请参考图1所示，图^中标记103所示区域仅表示DMOS器件的形成区域，该形成区域为周侧隔离有场氧化层2的有源区。[0058]图2A中的标记102所示区域表示CMOS器件的形成区域，该形成区域为周侧隔离有场氧化层2的有源区。在进行后续步骤之前，CMOS器件所采用的阱区及相关的开启电压调节注入也能在步骤一中依次形成，如果所述CMOS器件所采用的阱区和所述DM0S器件中的讲区工艺相同时可以集成在一起形成，即采用相同的阱注入加退火推阱工艺形成。[0059]步骤二、如图2A所示，形成注入掩蔽层6a，本发明实施例方法中，所述注入掩蔽层6a采用热氧化工艺形成，即通过对半导体衬底101进行热氧化实现。[0060]之后，如图2B所示，采用光刻刻蚀对所述注入掩蔽层6a进行刻蚀，刻蚀后的所述注入掩蔽层6a将和DM0S器件集成在同一所述半导体衬底1〇1上S0N0S非挥发性存储器的沟道区注入窗口打开，所述注入掩蔽层6a会覆盖在所述DM0S器件的形成区域1〇3的表面以及覆盖在所述CMOS器件的形成区域102的表面;之后进行离子注入形成所述S0N0S非挥发性存储器的沟道区。图2B中的标记104所示区域表示S0N0S非挥发性存储器的形成区域，所述S0N0S非挥发性存储器的沟道区形成于所述S0N0S非挥发性存储器的形成区域1〇4中。[0061]步骤三、如图2C所示，生长0N0层6b。[0062]如图2D所示，采用光刻刻蚀对所述0N0层6b进行刻蚀以及对所述0N0层6b保留区域之外的所述注入掩蔽层6a进行刻蚀并去除，刻蚀后的所述〇n〇层6b位于所述S0N0S非挥发性存储器的形成区域表面以及所述DM0S器件的形成区域的选定区域表面，由位于所述S0N0S非挥发性存储器的形成区域表面的0N0层6b组成所述S0N0S非挥发性存储器的栅极0N0层6b;所述DM0S器件的形成区域的选定区域表面的〇N〇层6b和其底部的所述注入掩蔽层6a组成所述DM0S器件的所述第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述漂移区3的表面。[0063]步骤四、如图2E所示，形成所述DM0S器件的第一栅介质层5,所述第一栅介质层5位于所述体注入区4的表面并延伸到所述漂移区3表面，所述第一栅介质层5和所述第二栅介质层横向接触且所述第一栅介质层5的厚度薄于所述第二栅介质层的厚度。本发明实施例方法中，采用热氧化工艺形成所述第一栅介质层5,热氧化工艺会将表面暴露的所述半导体衬底101的表面都氧化，在所述CMOS器件的形成区域1〇2的表面也会同时形成所述第一栅介质层5,该第一栅介质层5作为所述CMOS器件的栅介质层。[0064]步骤五、如图2F所示，淀积多晶硅并对该多晶硅进行光刻刻蚀同时形成所述DM0S器件、所述CMOS器件和所述S0N0S非挥发性存储器的多晶硅栅7;所述DM0S器件的多晶硅栅7覆盖在所述第一栅介质层5和所述第二栅介质层表面，被所述DM0S器件的多晶硅栅7所覆盖的所述体注入区4表面用于形成所述DM0S器件的沟道。所述S0N0S非挥发性存储器的多晶硅栅7覆盖在所述0N0层6b的表面，所述CMOS器件的多晶硅栅7覆盖在所述第一栅介质层5的表面。[0065]还包括步骤：[0066]如图1所示，在所述多晶硅栅7的第一侧面和第二侧面形成侧墙11。所述CMOS器件和所述S0N0S非挥发性存储器的多晶硅栅7的侧面也会形成侧墙n，不再用单独的附图表不〇[0067]进行第一导电类型重掺杂的源漏注入形成源区8和漏区9的步骤，所述源区8形成于所述体注入区4并和所述多晶硅栅7的第一侧面的所述侧墙^自对准;所述漏区9形成于所述漂移区3中且所述漏区9和所述多晶硅栅7的第二侧面具有间距。CMOS器件和所述SONOS非挥发性存储器的源区和漏区也能同时集成在一起形成。[0068]还包括进行第二导电类型重掺杂的离子注入在所述体注入区4表面形成体引出区10的步骤。[0069]之后，还包括形成层间膜，接触孔，正面金属层，对正面金属层进行光刻刻蚀引出所述DM0S器件的源极、漏极和栅极的步骤，同时还引出所述CMOS器件的源极、漏极和栅极以及引出所述S0N0S非挥发性存储器的源极、漏极和栅极。[0070]本发明实施例方法中，所述DM0S器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。在其它实施例方法中也能为:所述DM0S器件为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。[0071]以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

权利要求：1.一种SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件，其特征在于:DMOS器件和SONOS非挥发性存储器集成在同一半导体衬底上，所述DM0S器件包括由第一栅介质层和第二栅介质层组成的双栅介质层结构，所述DMOS器件包括：具有第一导电类型的漂移区；具有第二导电类型的体注入区，所述体注入区和所述漂移区横向接触；所述第一栅介质层形成于所述体注入区表面并延伸到所述漂移区表面；所述第二栅介质层形成于所述漂移区表面，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层横向接触且所述第一栅介质层的厚度薄于所述第二栅介质层的厚度；多晶硅栅由覆盖在所述第一栅介质层和所述第二栅介质层表面的多晶硅组成;被所述多晶硅栅所覆盖的所述体注入区表面用于形成所述DMOS器件的沟道；所述第二栅介质层由注入掩蔽层和0N0层叠加而成，所述注入掩蔽层和SONOS非挥发性存储器工艺中定义SONOS非挥发性存储器的沟道区注入窗口的介质层工艺相同且为同时形成的集成结构，所述〇N〇层和所述SONOS非挥发性存储器的栅极〇NO层工艺相同且为同时形成的集成结构;呈集成结构的所述注入掩蔽层和所述0N0层使所述第二栅介质层不需采用额外的光刻工艺形成，降低工艺成本。2.如权利要求1所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件，其特征在于:所述第一栅介质层的材料为热氧化层。3.如权利要求1所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件，其特征在于:所述漂移区和所述体注入区都形成于具有第一导电类型的深阱中。4.如权利要求1所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件，其特征在于:源区由形成于所述体注入区中的第一导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述多晶硅栅的第一侧面自对准；漏区由形成于所述漂移区中的第一导电类型重掺杂区组成，所述漏区和所述多晶硅栅的第二侧面具有间距。5.如权利要求4所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件，其特征在于：在所述体注入区表面形成有由第二导电类型掺杂区组成的体引出区。6.如权利要求1所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件，其特征在于：在所述半导体衬底上还集成有CMOS器件，所述CMOS器件的栅极介质层和所述第一栅介质层的工艺条件相同且为同时形成的集成结构。7.如权利要求1所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有场氧化层，由所述场氧化层隔离出形成所述DMOS器件的有源区。8.如权利要求1至7中任意权项所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件，其特征在于：所述DMOS器件为N型器件，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者，所述DMOS器件为P型器件，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。9.一种SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上的DMOS器件的形成区域中形成[^03器件的漂移区，体注入区，所述漂移区具有第一导电类型，所述体注入区具有第二导电类型，所述体注入区和所述漂移区横向接触；步骤二、形成注入掩蔽层，采用光刻刻蚀对所述注入掩蔽层进行刻蚀，刻蚀后的所述注入掩蔽层将和DMOS器件集成在同一所述半导体衬底上SONOS非挥发性存储器的沟道区注入窗口打开，所述注入掩蔽层会覆盖在所述DMOS器件的形成区域的表面;之后进行离子注入形成所述SONOS非挥发性存储器的沟道区；步骤三、生长0N0层，采用光刻刻蚀对所述0N0层进行刻蚀以及对所述0N0层保留区域之外的所述注入掩蔽层进行刻蚀并去除，刻蚀后的所述0N0层位于所述SONOS非挥发性存储器的形成区域表面以及所述DMOS器件的形成区域的选定区域表面，由位于所述SONOS非挥发性存储器的形成区域表面的0N0层组成所述SONOS非挥发性存储器的栅极0N0层;所述DMOS器件的形成区域的选定区域表面的0N0层和其底部的所述注入掩蔽层组成所述DMOS器件的所述第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述漂移区的表面；步骤四、形成所述DMOS器件的第一栅介质层，所述第一栅介质层位于所述体注入区的表面并延伸到所述漂移区表面，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层横向接触且所述第一栅介质层的厚度薄于所述第二栅介质层的厚度；步骤五、淀积多晶硅并对该多晶硅进行光刻刻蚀同时形成所述DMOS器件和所述SONOS非挥发性存储器的多晶硅栅;所述DMOS器件的多晶硅栅覆盖在所述第一栅介质层和所述第二栅介质层表面，被所述DMOS器件的多晶硅栅所覆盖的所述体注入区表面用于形成所述DMOS器件的沟道。10.如权利要求9所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件的制造方法，其特征在于:步骤四中采用热氧化工艺形成所述第一栅介质层。11.如权利要求9所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法，其特征在于：在步骤一之前还包括在所述DMOS器件的形成区域中形成第一导电类型的深阱的步骤，所述漂移区和所述体注入区都形成于所述深阱中。12.如权利要求9所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DMOS器件的制造方法，其特征在于:步骤五之后，还包括进行第一导电类型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区的步骤，所述源区形成于所述体注入区并和所述多晶硅栅的第一侧面自对准;所述漏区形成于所述漂移区中且所述漏区和所述多晶硅栅的第二侧面具有间距；步骤五之后，还包括进行第二导电类型重掺杂的离子注入在所述体注入区表面形成体引出区的步骤。I3•如权利要求9所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的DM0S器件的制造方法，其特征在于:步骤五之后，还包括在所述多晶硅栅的第一侧面和第二侧面形成侧墙的步骤。14.如权利要求9所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的蘭⑽器件的制造方法，其特征在于：步骤四中的所述第一栅介质层也同时在所述CMOS器件的形成区域形成并作为所述CMOS器件的栅极介质层。15.如权利要求9所述的SONOS非挥发性存储器工艺中的^⑽器件的制造方法，其特征在于:步骤一之前还包括在所述半导体衬底上形成场氧化层的步骤，由所述场氧化层隔离出形成所述DMOS器件的有源区。

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