申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2014-06-18

公开（公告）日：2020-04-24

公开（公告）号：CN105470258B

主分类号：H01L27/11568(20170101)

分类号：H01L27/11568(20170101);H01L29/792(20060101);H01L29/423(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.04.24#授权;2017.05.03#实质审查的生效;2016.04.06#公开

摘要：本发明提供一种SONOSB4‑flash存储器，所述方法包括：N型硅纳米线；栅极层；P型源极层；P型漏极层；其中，所述栅极层包覆与所述N型硅纳米线外侧，且所述N型纳米线露出两端；所述P型源极层和P型漏极层包覆于所述N型纳米线两端。通过本发明的方法使用SONOS作为基本存储结构，更好地存储电荷并提高闪存的耐久度。并且通过使用B4‑Flash的技术，能够使栅长在现有闪存的基础上进一步缩短。且通过使用垂直硅纳米线技术，用圆柱形环绕栅的结构，在闪存结构在极小的栅长情况下有效抑制短沟道效应，抑制阈值电压的漂移。

主权项：1.一种SONOSB4-flash存储器，其特征在于，所述存储器使用垂直硅纳米线技术形成，所述存储器包括：一N型硅衬底，所述N型硅衬底包括一根位于栅极区域的圆柱状纳米线和两根位于源漏区域的圆柱状纳米线，所述位于源漏区域的圆柱状纳米线从位于所述栅极区域的圆柱状纳米线的两个圆形表面引出；一环形栅极结构，所述环形栅极结构包裹于位于栅极区域的圆柱状纳米线设置；P型环形源区和P型环形漏区，所述P型环形源区和P型环形漏区分别包裹于位于源漏区域的两根圆柱状纳米线设置；其中，所述环形栅极结构由内至外依次为隧穿氧化层、氮化层、阻挡氧化层和多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 SONOS B4-flash存储器

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