申请/专利权人：福建福顺微电子有限公司

申请日：2019-12-09

公开（公告）日：2020-05-05

公开（公告）号：CN111106008A

主分类号：H01L21/321(20060101)

分类号：H01L21/321(20060101);H01L21/3213(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.10#授权;2020.05.29#实质审查的生效;2020.05.05#公开

摘要：一种平坦化反刻方法，包括如下步骤，在硅片表面先沉积牺牲层，牺牲层的厚度高于硅片上最大台阶高度，然后涂覆光阻材料层，进行第一步腐蚀步骤，蚀刻光阻材料层至牺牲氧化层最高处，进行第二步腐蚀步骤，蚀刻剩余光阻材料层及牺牲层，蚀刻光阻材料层和牺牲层的速率比为1。上述方案通过二次腐蚀并相应调整速率及腐蚀厚度，最终达到更好地平坦化电路板的目的。

主权项：1.一种平坦化反刻方法，其特征在于，包括如下步骤，在硅片表面先沉积牺牲层，牺牲层的厚度高于硅片上最大台阶高度，然后涂覆光阻材料层，进行第一步腐蚀步骤，蚀刻光阻材料层至牺牲氧化层最高处，进行第二步腐蚀步骤，蚀刻剩余光阻材料层及牺牲层，蚀刻光阻材料层和牺牲层的速率比为1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建福顺微电子有限公司 一种平坦化反刻方法

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