申请/专利权人：意法半导体公司

申请日：2015-12-30

公开（公告）日：2020-05-05

公开（公告）号：CN106057806B

主分类号：H01L27/092(20060101)

分类号：H01L27/092(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/8238(20060101)

优先权：["20150402 US 14/677,404"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.05#授权;2016.11.23#实质审查的生效;2016.10.26#公开

摘要：本申请涉及竖直结型鳍式FET器件及制造方法。一种竖直结型场效应晶体管JFET由半导体衬底所支撑，该半导体衬底包括在该半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的源极区。掺杂有该第一导电类型掺杂物的半导体材料鳍具有与该源极区接触的第一端、并且进一步包括第二端以及在该第一端和该第二端之间的多个侧壁。漏极区由从该鳍的第二端生长的第一外延材料形成并且掺杂有该第一导电类型掺杂物。栅极结构由从该鳍的这些侧壁生长的第二外延材料形成并且掺杂有第二导电类型掺杂物。

主权项：1.一种集成电路晶体管器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的区；半导体材料鳍，所述半导体材料鳍具有与在所述半导体衬底之内的所述区接触的第一端并且具有第二端并且具有在所述第一端和所述第二端之间的多个侧壁，所述鳍掺杂有所述第一导电类型掺杂物；与所述半导体材料鳍的所述第二端接触的第一外延区，所述第一外延区掺杂有所述第一导电类型掺杂物；以及与所述半导体材料鳍的多个侧壁接触的第二外延区，所述第二外延区掺杂有第二导电类型掺杂物，其中，所述集成电路晶体管器件是结型场效应晶体管JFET器件，其中所述第二外延区包括栅极结构，在所述半导体衬底之内的所述区包括源极区并且所述第一外延区包括漏极区，其中，所述源极区的掺杂浓度超过了所述鳍的掺杂浓度，以及其中，所述漏极区的掺杂浓度超过了所述鳍的掺杂浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体公司 竖直结型鳍式FET器件及制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD