申请/专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2018-12-12

公开（公告）日：2020-05-12

公开（公告）号：CN109671859B

主分类号：H01L51/52(20060101)

分类号：H01L51/52(20060101);H01L27/32(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.12#授权;2019.05.17#实质审查的生效;2019.04.23#公开

摘要：本申请提出了一种显示面板及显示装置。所述显示面板包括阵列基板、平坦化层、阳极层、包括发光器件单元的发光器件层、设置在相邻所述发光器件单元之间的像素定义体以及设置在相邻所述发光器件单元之间用以阻隔水氧的挡墙；其中，所述挡墙至少与所述平坦化层和所述阳极层中的其中一者接触，且所述挡墙的上表面不低于所述像素定义体的上表面。本申请通过在相邻发光器件单元之间增设用以阻隔水氧的挡墙，以防止水氧在显示面板内部水平方向的扩散，提升了显示面板的抗水氧能力。

主权项：1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板；设置在所述阵列基板上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的阳极层；设置在所述阳极层上发光器件层，所述发光器件层包括间隔分布的发光器件单元；设置在相邻所述发光器件单元之间的像素定义体；以及设置在相邻所述发光器件单元之间用以阻隔水氧的挡墙；所述挡墙至少与所述平坦化层和所述阳极层中的其中一者接触，且所述挡墙的上表面不低于所述像素定义体的上表面；相邻所述发光器件单元之间设置有第一挡墙和第二挡墙；其中，所述第一挡墙设置在所述像素定义体内，所述第二挡墙设置在所述像素定义体与所述发光器件单元之间并覆盖所述像素定义体的侧面。

全文数据：显示面板及显示装置技术领域本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。背景技术已知，有机发光二极管OLED因其在固态照明和平板显示灯领域的广泛应用价值而得到了学术界和产业界的极大关注。有机发光材料对水氧十分敏感。因此如何有效隔绝外界水氧对有机发光器件的破坏以保证器件具有较长的使用寿命，也是目前显示面板研究的热点和难点之一。目前较为成熟的封装工艺一般采用无机有机多重交替薄膜结构实现。其中，无机层的主要作用是阻隔水氧。有机层的主要作用是在显示面板弯折时缓释相邻无机层之间的应力。但是目前采用的封装结构并不能完全的实现有机发光器件的水氧隔离，导致现有产品存在良率较低的问题。因此，目前亟需一种显示面板及显示装置以解决上述问题。发明内容本申请提供了一种显示面板及显示装置，以解决显示面板内发光器件容易受到水氧侵蚀的问题。为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：根据本申请的一个方面，提供了一种显示面板，包括：阵列基板；设置在所述阵列基板上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的阳极层；设置在所述阳极层上发光器件层，所述发光器件层包括间隔分布的发光器件单元；设置在相邻所述发光器件单元之间的像素定义体；以及设置在相邻所述发光器件单元之间用以阻隔水氧的挡墙；其中，所述挡墙至少与所述平坦化层和所述阳极层中的其中一者接触，且所述挡墙的上表面不低于所述像素定义体的上表面。在本申请的显示面板中，所述挡墙的制备材料包括无机材料。在本申请的显示面板中，相邻所述发光器件单元之间设置有至少一个挡墙。在本申请的显示面板中，所述挡墙设置在所述像素定义体内。在本申请的显示面板中，每个像素定义体内设置有n个挡墙，n为正整数；其中，所述像素定义体被所述挡墙分割为n+1个像素定义单元，所述像素定义单元之间相互分离。在本申请的显示面板中，所述挡墙设置在所述发光器件单元与所述像素定义体之间并覆盖所述像素定义体的侧面。在本申请的显示面板中，相邻所述发光器件单元之间设置有第一挡墙和第二挡墙；其中，所述第一挡墙设置在所述像素定义体内，所述第二挡墙设置在所述像素定义体与所述发光器件单元之间并覆盖所述像素定义体的侧面。在本申请的显示面板中，所述显示面板还包括阴极层，所述阴极层覆盖所述像素定义体、所述挡墙以及所述发光器件层。在本申请的显示面板中，所述平坦化层和所述挡墙的制备材料均包括氮化硅，所述平坦化层和所述挡墙在同一道光罩工艺中制备。根据本申请的另一个方面，还提供了一种显示装置，包括触控层和上述显示面板。有益效果：本申请通过在相邻发光器件单元之间增设用以阻隔水氧的挡墙，以防止水氧在显示面板内部水平方向的扩散，提升了显示面板的抗水氧能力。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请第一实施例提供的显示面板的剖面图；图2为本申请第二实施例提供的显示面板的剖面图；图3为本申请第三实施例提供的显示面板的剖面图；图4为本申请第四实施例提供的显示面板的剖面图；图5为本申请第四实施例提供的显示面板的剖面图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本申请提供了一种显示面板及显示装置，以解决显示面板内发光器件容易受到水氧侵蚀的问题。请参阅图1，图1为本申请第一实施例提供的显示面板100的剖面图。根据本申请的一个方面，提供了一种显示面板100，包括阵列基板11、平坦化层12、阳极层13、发光器件层14、像素定义体16以及挡墙15。其中，所述阵列基板11包括衬底以及设置在所述衬底上的薄膜晶体管层。在一种实施例中，所述衬底与所述薄膜晶体管层之间设置有缓冲层，所述缓冲层的制备材料包括氮化硅、氧化硅以及氮氧化硅中至少一者。在一种实施例中，所述薄膜晶体管层包括：有源层，所述有源层包括中间的沟道区以及分别设置在所述沟道区两端源极掺杂区和漏极掺杂区；设置在所述有源层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层的制备材料包括氮化硅。设置在所述第一绝缘层上的栅极金属；设置在所述栅极金属上的栅绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上源极金属和漏极金属；其中，所述薄膜晶体管层还包括贯穿所述第一绝缘层和所述栅绝缘层的第一过孔和第二过孔，所述源极金属通过第一过孔与所述源极掺杂区电连接，所述漏极金属通过所述第二过孔与所述漏极掺杂区电连接。所述平坦化层12设置在所述阵列基板11上，所述平坦化层12的制备材料包括有机材料和无机材料中的其中一者。所述平坦化层12内设置有第三过孔，阳极层13通过所述第三过孔与所述漏极金属电连接。所述阳极层13设置在所述平坦化层12上，所述阳极层13包括间隔分布的阳极金属131。所述发光器件层14设置在所述阳极层13上，包括间隔分布的发光器件单元141，所述发光器件单元141设置在所述阳极金属131上。其中所述发光器件单元141的制备材料具有水氧敏感性，极易受到水氧侵蚀导致损坏，因此显示面板100中需要设置相应结构对所述发光器件单元141进行水氧隔离。所述像素定义体16设置在相邻所述发光器件单元141之间用以定义阵列基板11的像素区域。所述像素定义体16通常采用有机材料制备，有机材料不具备水氧隔离的特性。外界水氧容易通过所述像素定义体16渗入发光器件单元141。因此，本申请通过在相邻所述发光器件单元141之间设置用以阻隔水氧的挡墙15，进而将像素定义体16这一渗透途径隔离，进而实现发光器件单元141水平方向上的水氧阻隔。其中，所述挡墙15至少与所述平坦化层12和所述阳极层13中的其中一者接触。即所述挡墙15的一端即可以设置在覆盖或者部分覆盖所述阳极层13，也可以设置在相邻阳极单元之间。且所述挡墙15的上表面不低于所述像素定义体16的上表面，进而防止水氧在像素定义体16中渗透，侵蚀发光器件层14。在一种实施例中，所述挡墙15的制备材料包括无机材料，相较于有机材料制备的像素定义体16，无机材料具有较高的水氧阻隔性能。在一种实施例中，相邻所述发光器件单元141之间设置有至少一个挡墙15。请参阅图4，图4为本申请第四实施例提供的显示面板100的剖面图。在一种实施例中，相邻所述发光器件单元141之间既可以设置挡墙15，也可以不设置挡墙15。具体设置以显示面板100的实际需求为准。在一种实施例中，所述挡墙15设置在所述像素定义体16内。在本实施例中，所述挡墙15类似于完全嵌在像素定义体16中，使得所述挡墙15具有较好的稳定性。在一种实施例中，每个像素定义体16内设置有n个挡墙15，n为正整数；其中，所述像素定义体16被所述挡墙15分割为n+1个像素定义单元161，所述像素定义单元161之间相互分离。通过在每个所述像素定义提内设置多个挡墙15能够对所述发光器件层14实现多重隔离，提升对所述发光器件层14的保护效果。请参阅图2，图2为本申请第二实施例提供的显示面板100的剖面图。在一种实施例中，所述挡墙15设置在所述发光器件单元141与所述像素定义体16之间并覆盖所述像素定义体16的侧面。在一种实施例中，所述挡墙15即可以仅覆盖所述像素定义体16的一侧，也可以将所述像素定义体16的两侧均覆盖。请参阅图3，图3为本申请第三实施例提供的显示面板100的剖面图。在一种实施例中，相邻所述发光器件单元141之间设置有第一挡墙151和第二挡墙152；其中，所述第一挡墙151设置在所述像素定义体16内，所述第二挡墙152设置在所述像素定义体16与所述发光器件单元141之间并覆盖所述像素定义体16的侧面。既实现对所述发光器件层14的多重保护。请参阅图5，图5为本申请第四实施例提供的显示面板100的剖面图。在一种实施例中，所述显示面板100还包括阴极层，所述阴极层覆盖所述像素定义体16、所述挡墙15以及所述发光器件层14。在一种实施例中，所述显示面板100还包括设置在所述阴极层上的封装层。所述封装层包括多层结构，可以为无机层有机层无机层的三层结构，也可以为无机层有机层无机层有机层无机层的五层结构，具体可根据显示面板100的实际需求设置。在一种实施例中，所述平坦化层12和所述挡墙15的制备材料均包括氮化硅，所述平坦化层12和所述挡墙15在同一道光罩工艺中制备。在上述实施例中，为实现平坦化层12与所述挡墙15在同一道光罩工艺中制备，需要先进行平坦化层12与所述挡墙15的制备，再进行阳极层13和像素定义体16层的制备。这样制备的显示面板100结构为所述挡墙15设置在上述像素定义体16内。根据本申请的另一个方面，还包括一种显示装置，包括显示面板100和触控层，所述显示面板100包括：阵列基板11；设置在所述阵列基板11上的平坦化层12；设置在所述平坦化层12上的阳极层13；设置在所述阳极层13上发光器件层14，所述发光器件层14包括间隔分布的发光器件单元141；设置在相邻所述发光器件单元141之间的像素定义体16；以及设置在相邻所述发光器件单元141之间用以阻隔水氧的挡墙15；其中，所述挡墙15至少与所述平坦化层12和所述阳极层13中的其中一者接触，且所述挡墙15的上表面不低于所述像素定义体16的上表面。在一种实施例中，所述挡墙15为的制备材料包括无机材料。在一种实施例中，相邻所述发光器件单元141之间设置有至少一个挡墙15。在一种实施例中，所述挡墙15设置在所述像素定义体16内。在一种实施例中，每个像素定义体16内设置有n个挡墙15，n为正整数；其中，所述像素定义体16被所述挡墙15分割为n+1个像素定义单元161，所述像素定义单元161之间相互分离。在一种实施例中，所述挡墙15设置在所述发光器件单元141与所述像素定义体16之间并覆盖所述像素定义体16的侧面。在一种实施例中，相邻所述发光器件单元141之间设置有第一挡墙151和第二挡墙152；其中，所述第一挡墙151设置在所述像素定义体16内，所述第二挡墙152设置在所述像素定义体16与所述发光器件单元141之间并覆盖所述像素定义体16的侧面。在一种实施例中，所述显示面板100还包括阴极层，所述阴极层覆盖所述像素定义体16、所述挡墙15以及所述发光器件层14。在一种实施例中，所述平坦化层12和所述挡墙15的制备材料均包括氮化硅，所述平坦化层12和所述挡墙15在同一道光罩工艺中制备。有益效果：本申请通过在相邻发光器件单元之间增设用以阻隔水氧的挡墙，以防止水氧在显示面板内部水平方向的扩散，提升了显示面板的抗水氧能力。综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

权利要求：1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板；设置在所述阵列基板上的平坦化层；设置在所述平坦化层上的阳极层；设置在所述阳极层上发光器件层，所述发光器件层包括间隔分布的发光器件单元；设置在相邻所述发光器件单元之间的像素定义体；以及设置在相邻所述发光器件单元之间用以阻隔水氧的挡墙；其中，所述挡墙至少与所述平坦化层和所述阳极层中的其中一者接触，且所述挡墙的上表面不低于所述像素定义体的上表面。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙为的制备材料包括无机材料。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻所述发光器件单元之间设置有至少一个挡墙。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙设置在所述像素定义体内。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，每个像素定义体内设置有n个挡墙，n为正整数；其中，所述像素定义体被所述挡墙分割为n+1个像素定义单元，所述像素定义单元之间相互分离。6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述挡墙设置在所述发光器件单元与所述像素定义体之间并覆盖所述像素定义体的侧面。7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻所述发光器件单元之间设置有第一挡墙和第二挡墙；其中，所述第一挡墙设置在所述像素定义体内，所述第二挡墙设置在所述像素定义体与所述发光器件单元之间并覆盖所述像素定义体的侧面。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阴极层，所述阴极层覆盖所述像素定义体、所述挡墙以及所述发光器件层。9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦化层和所述挡墙的制备材料均包括氮化硅，所述平坦化层和所述挡墙在同一道光罩工艺中制备。10.一种显示装置，其特征在于，包括触控层和权利要求1-9任一项所述显示面板。

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