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【发明公布】具有高电流容量的馈线设计_阿斯卡顿公司_201880059799.8 

申请/专利权人:阿斯卡顿公司

申请日:2018-09-14

公开(公告)日:2020-05-15

公开(公告)号:CN111164759A

主分类号:H01L29/06(20060101)

分类号:H01L29/06(20060101);H01L29/861(20060101);H01L29/868(20060101);H01L29/16(20060101)

优先权:["20170915 SE 1751140-3"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.09.15#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要:本发明涉及一种馈线设计,其被制造为由SiC半导体材料形成的结构,该结构包括至少两个位于n型SiC材料3中的p型栅格,并且包括至少一个外延生长的p型区域,其中在所述至少一个外延生长的p型区域上施加欧姆触点,在至少两个p型栅格的至少一部分和n型SiC材料3上施加外延生长的n型层,其中至少在至少分别靠近所述至少第一和第二拐角的第一和第二区域中施加所述至少两个p型栅格4,5,并且在没有任何栅格的第一和第二区域之间,在n型SiC材料3中存在一区域。

主权项:1.一种由SiC半导体材料形成的结构,所述结构包括衬底1、漂移层2、由n型SiC材料3形成的至少两个p型栅格4,5,其中所述结构包括n型外延生长的SiC层8,其中所述外延生长的n型层8与所述至少两个p型栅格4,5和所述n型SiC材料3接触,其中所述n型外延生长层8与至少一个外延生长的p型区域7接触,其中欧姆触点9与所述至少一个外延生长的p型区域7接触,其中所述至少一个外延生长的p型区域7在与n型的所述衬底1平行的平面中的投影具有限界所述至少一个外延生长的p型区域7的投影的边界线l,其特征在于,至少施加所述p型栅格5,使得所述p型栅格5在平行于n型的所述衬底1的平面中的投影位于所述边界线l的周围,使得从所述边界线l到该周围的任何点的距离最大为0.5μm,并且其中所述p型栅格5还仅仅施加成使得从所述至少一个外延生长的p型区域7的下部到所述p型栅格5的上部的距离在0-5μm的范围内,向上的方向由垂直远离n型的所述衬底1的方向给出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 阿斯卡顿公司 具有高电流容量的馈线设计

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