申请/专利权人：日东电工株式会社

申请日：2018-06-11

公开（公告）日：2020-05-15

公开（公告）号：CN111164172A

主分类号：C09J7/10(20180101)

分类号：C09J7/10(20180101);B32B5/18(20060101);B32B7/02(20190101);C08J9/00(20060101);C09J7/30(20180101);C09J183/07(20060101);C09J183/05(20060101);C09J11/04(20060101)

优先权：["20170928 JP 2017-188570"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.02.25#授权;2020.07.17#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要：提供在与表面相同的方向具有充分的剪切粘接力、在相对于表面垂直的方向具有弱的粘接力、具有优异的抗静电性能的吸附临时固定片。本发明的吸附临时固定片为具有具备连续气泡结构的发泡层的吸附临时固定片，所述吸附临时固定片的表面电阻率为1.0×104Ω□～1.0×1010Ω□，将该发泡层的表面的、‑30℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V1N1cm□、23℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V2N1cm□、80℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V3N1cm□、将该发泡层的表面的、‑30℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H1N1cm□、23℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H2N1cm□、80℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H3N1cm□时，V1H1、V2H2、V3H3。

主权项：1.一种吸附临时固定片，其具有具备连续气泡结构的发泡层，所述吸附临时固定片的表面电阻率为1.0×104Ω□～1.0×1010Ω□，将该发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V1N1cm□、23℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V2N1cm□、80℃下18小时后的硅芯片垂直粘接力设为V3N1cm□，将该发泡层的表面的、-30℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H1N1cm□、23℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H2N1cm□、80℃下18小时后的硅芯片剪切粘接力设为H3N1cm□时，V1H1、V2H2、V3H3，其中，硅芯片垂直粘接力为如下的最大载荷：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机DISCOInc.制、DFG8560进行磨削并用切割机DISCOInc.制、DFD6450单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用Servopulser株式会社岛津制作所制、控制器4890、称重传感器MMT-250N，在将双面胶带日东电工株式会社制、No.5000NS贴附于20mmΦ的适配器的前端的状态下，在垂直方向以压缩速度0.01N秒对硅芯片的镜面磨削面的相反面进行压缩直到施加0.05N的载荷为止，以10mm秒进行剥离时的最大载荷，另外，硅芯片剪切粘接力为如下的剪切粘接力：用有机硅粘合带将吸附临时固定片的评价面的相反面固定于平滑的不锈钢板上，对于用研磨机DISCOInc.制、DFG8560进行磨削并用切割机DISCOInc.制、DFD6450单片化为1cm□的厚度300μm的硅芯片的磨削面，使2kg辊往返1次而将该硅芯片的磨削面贴合于吸附临时固定片，在-30℃、23℃、80℃下分别熟化18小时，在23℃下静置2小时，使用测力计NIDEC-SHIMPOCORPORATION.制、FGPX-10以1mm秒的速度按压硅芯片的侧面而测定的剪切粘接力。

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权利要求：

百度查询： 日东电工株式会社 吸附临时固定片

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