申请/专利权人:广东汇成真空科技股份有限公司
申请日:2019-12-30
公开(公告)日:2020-05-15
公开(公告)号:CN111155064A
主分类号:C23C14/35(20060101)
分类号:C23C14/35(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/06(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.08.31#实质审查的生效;2020.05.15#公开
摘要:本发明公开了一种高功率脉冲磁控溅射制备TiAlSiN复合涂层的方法:S1,准备:在HCVACHCSH650设备上,采用Ti靶、TiAl合金靶和Si靶作为靶材,各靶的靶材纯度≥99%;Ti靶和TiAl靶接高功率脉冲磁控溅射电源,Si靶接射频电源;装挂有高速钢或硬质合金刀具的转架公转速度为3~15rmin,靶基距为60‑150mm;工作气体和反应气体分别选用高纯Ar和N2;S2,沉积涂层:包括1.清洗;2.加热;3.调节压强;4.辉光清洗;5.纯Ti轰击活化;6.沉积Ti过渡层;7.沉积TiN过渡层;8.沉积高Ti含量的TIALN;9.沉积TiAlN;10.沉积TIALSiN。本方法具有Si含量可控、沉积速率高、形成的结构为纳米晶氮化物被Si3N4包裹的复合结构,且性能优异。
主权项:1.一种高功率脉冲磁控溅射制备TiAlSiN复合涂层的方法,其特征是包括以下步骤:S1,准备在真空电镀设备上,采用Ti靶、TiAl合金靶和Si靶作为靶材,各靶的靶材纯度≥99%;Ti靶和TiAl靶接高功率脉冲磁控溅射电源,Si靶接射频电源;装挂有高速钢或硬质合金刀具的转架公转速度为3~15rmin,靶基距为60-150mm;工作气体和反应气体分别选用纯度均为≥99.9%的高纯Ar和N2;S2,沉积涂层包括子步骤10:沉积TIALSiN:开启射频Si靶,功率100-3000w;在高速钢或硬质合金基体表面沉积TiAlSiN涂层,沉积时间为120~360min。
全文数据:
权利要求:
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