申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-01-02

公开（公告）日：2020-05-15

公开（公告）号：CN111158217A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.06.21#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要：本申请实施例公开了一种套刻偏差的确定方法及系统，其中，所述方法包括：在对每一层晶圆进行光刻工艺的过程中，在光罩图案上的每个晶粒内，沿着单元阵列区域的边线的中部设置套刻标记；在进行套刻对准操作时，通过测量设备对当前层的套刻标记与所述当前层的前一层的套刻标记进行量测，确定所述当前层与所述前一层的套刻偏差。

主权项：1.一种套刻偏差的确定方法，其特征在于，所述方法包括：在对每一层晶圆进行光刻工艺的过程中，在光罩图案上的每个晶粒内，沿着单元阵列区域的边线的中部设置套刻标记；在进行套刻对准操作时，通过测量设备对当前层的套刻标记与所述当前层的前一层的套刻标记进行量测，确定所述当前层与所述前一层的套刻偏差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种套刻偏差的确定方法及系统

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