申请/专利权人：深圳市奥伦德元器件有限公司

申请日：2020-01-03

公开（公告）日：2020-05-15

公开（公告）号：CN111162155A

主分类号：H01L33/54(20100101)

分类号：H01L33/54(20100101);H01L33/58(20100101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.06#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要：本发明公开了一种镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法，包括：对红外LED芯片涂上光刻胶并进行烘烤处理；对红外LED芯片的P面进行光刻处理使得P面生成导光孔，再进行烘烤处理；将红外LED芯片浸泡至由磷酸和双氧水混合的第一混合溶液中进行刻蚀处理；将刻蚀处理后的红外LED芯片浸泡至由硝酸、冰醋酸和水混合的第二混合溶液中进行粗化处理；将粗化处理后的红外LED芯片进行去胶处理和清洗处理。通过光刻处理在P面生成导光孔，增大了发光面积，提高了发光功率；刻蚀处理可以形成敞开状的导光孔，使得大部分光线不会被反射或者吸收，提高了发光功率；另外，对P面、N面和侧面进行表面粗化以及对导光孔进行粗化能够增加发光面积，提高发光功率。

主权项：1.一种镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法，其特征在于，包括：对所述红外LED芯片涂上光刻胶并进行烘烤处理；对所述红外LED芯片的P面进行光刻处理使得所述P面生成导光孔，再进行烘烤处理；将所述红外LED芯片浸泡至由磷酸和双氧水混合的第一混合溶液中进行刻蚀处理，使得所述导光孔的深度加深并且使得所述导光孔呈由孔口逐渐向孔底收窄的形状设置；将刻蚀处理后的所述红外LED芯片浸泡至由硝酸、冰醋酸和水混合的第二混合溶液中进行粗化处理；将粗化处理后的所述红外LED芯片进行去胶处理和清洗处理。

全文数据：

权利要求：

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