申请/专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司

申请日：2020-04-02

公开（公告）日：2020-05-15

公开（公告）号：CN111155068A

主分类号：C23C14/35(20060101)

分类号：C23C14/35(20060101);C23C14/04(20060101);C23C14/50(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.06.30#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要：本发明提供一种物理气相沉积填孔设备，包括腔体、基座、金属罩、内挡板、绝缘筒、磁控溅射装置、射频电磁环、辅助射频电磁环及辅助磁场装置；基座位于腔体内；射频电磁环位于基座内；磁控溅射装置包括靶材承载盘及磁控管，靶材承载盘位于腔体顶部，磁控管位于靶材承载盘上方；金属罩、内挡板和绝缘筒均位于腔体内，且位于磁控溅射装置和基座之间，金属罩、内挡板和绝缘筒沿远离腔体中心的方向依次分布，金属罩和内挡板均包括多个沿纵向延伸且间隔分布的栅格状开口且开口相互错开；辅助射频电磁环和辅助磁场装置均位于腔体和绝缘筒之间。本发明能显著改善深孔填充的台阶覆盖率和薄膜均匀性，有助于提高生产良率及降低生产成本。

主权项：1.一种物理气相沉积填孔设备，其特征在于，包括：腔体、磁控溅射装置、基座、射频电磁环、辅助射频电磁环、金属罩、内挡板、绝缘筒及辅助磁场装置；所述磁控溅射装置包括靶材承载盘及磁控管，所述靶材承载盘位于所述腔体顶部，用于承载靶材，所述磁控管位于所述靶材承载盘上方；所述基座位于所述腔体内，用于承载晶圆；所述射频电磁环位于所述基座内；所述金属罩、内挡板和绝缘筒均位于所述腔体内，且位于所述磁控溅射装置和所述基座之间，所述金属罩、内挡板和绝缘筒沿远离所述腔体中心的方向依次分布，所述金属罩的中空区域一端延伸至所述基座附近，另一端延伸至所述靶材附近，所述金属罩和所述内挡板均包括多个沿纵向延伸且间隔分布的栅格状开口，所述金属罩的栅格状开口和所述内挡板的栅格状开口相互错开；所述辅助磁场装置和所述辅助射频电磁环均位于所述腔体和所述绝缘筒之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 物理气相沉积填孔设备

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