申请/专利权人：克利公司

申请日：2008-02-19

公开（公告）日：2020-05-15

公开（公告）号：CN105098012B

主分类号：H01L33/14(20100101)

分类号：H01L33/14(20100101)

优先权：["20070308 US 11/715,687"]

专利状态码：有效-专利权的转移

法律状态：2021.07.09#专利权的转移;2020.05.15#授权;2015.12.23#实质审查的生效;2015.11.25#公开

摘要：本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层、以及n型半导体层和p型半导体层之间的有源区域；不透明部件，位于与有源区域相对的n型半导体层上；以及图案化的欧姆接触，位于与有源区域相对的p型半导体层上，其中，图案化的欧姆接触与不透明部件对齐。

主权项：1.一种发光器件，包括：p型半导体层、n型半导体层、以及所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的有源区域；不透明部件，所述不透明部件位于与所述有源区域相对的所述n型半导体层上；以及图案化的欧姆接触，所述图案化的欧姆接触位于与所述有源区域相对的所述p型半导体层上，其中，所述图案化的欧姆接触在除了与所述不透明部件对齐的所述p型半导体层的表面的导电性减小区之外的区域中，其中，所述发光器件进一步包括位于所述p型半导体层上的图案化非欧姆接触，其中，所述图案化非欧姆接触也与所述不透明部件对齐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 克利公司 发光器件及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD