申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
申请日:2018-11-13
公开(公告)日:2020-05-19
公开(公告)号:CN111180416A
主分类号:H01L23/538(20060101)
分类号:H01L23/538(20060101);H01L21/768(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开
摘要:本公开提出一种半导体结构及其制备工艺以及半导体器件。半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、保护层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上,第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。保护层设于第一氧化物层与第二氧化物层之间,保护层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔贯通开设于硅基层、第一氧化物层、保护层和第二氧化物层并填充有导电材料,硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。电极设于容纳槽内。
主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括:硅基层;第一氧化物层和第二氧化物层,由下至上依序设于所述硅基层上,所述第二氧化物层的上表面开设有容纳槽;保护层,设于所述第一氧化物层与所述第二氧化物层之间,所述保护层的材质硬度大于所述第二氧化物层的材质硬度;硅穿孔,开设于所述硅基层、所述第一氧化物层、所述保护层和所述第二氧化物层并填充有导电材料,所述硅穿孔的上端显露于所述容纳槽的槽底;以及电极,设于所述容纳槽内。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备工艺以及半导体器件
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