申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-01-03

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN111180456A

主分类号：H01L27/11524(20170101)

分类号：H01L27/11524(20170101);H01L27/11529(20170101);H01L27/11548(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11575(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.05.28#授权;2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要：本申请提供一种三维存储器的制备方法及三维存储器，所述制备方法包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的堆叠结构，所述半导体结构还具有贯穿所述堆叠结构的栅极隔槽，所述栅极隔槽露出所述外延层；通过所述栅极隔槽对所述外延层进行第一掺杂以形成掺杂外延层。本申请的三维存储器的制备方法解决了横向生长的外延结构影响底部选择栅极的电性能，以致三维存储器的制备良率降低的问题。

主权项：1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底、设于所述衬底上的外延层和设于所述外延层上的堆叠结构，所述半导体结构还具有贯穿所述堆叠结构的栅极隔槽，所述栅极隔槽露出所述外延层；通过所述栅极隔槽对所述外延层进行第一掺杂以形成掺杂外延层。

全文数据：

权利要求：

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