买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】一种结合浮栅的IGBT器件结构_中南大学_202010008661.4 

申请/专利权人:中南大学

申请日:2020-01-06

公开(公告)日:2020-05-19

公开(公告)号:CN111180512A

主分类号:H01L29/739(20060101)

分类号:H01L29/739(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/331(20060101)

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2022.06.17#发明专利申请公布后的驳回;2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要:本发明提供了一种结合浮栅的IGBT器件结构,包括:IGBT结构及浮栅结构,所述IGBT结构包括有一金属集电极,所述金属集电极的上方依次设置有P+集电区、N型缓冲层、N‑漂移区、P型基区、N+源区和金属发射极,所述金属发射极使得位于同侧的N+源区与P型基区短接,且所述金属发射极均接源极电位;所述浮栅结构由隧道氧化层、浮栅电极、栅氧化层和控制栅电极组成,所述浮栅电极通过所述隧道氧化层与所述N‑漂移区、P型基区和N+源区隔离,所述控制栅电极通过所述栅氧化层与所述浮栅电极隔离;本发明具有缩短关断时间、提升关断稳定性和减小漏电流功能,同时不会增加导通电阻,并且浮栅结构制作工艺简单,拥有良好的应用效果。

主权项:1.一种结合浮栅的IGBT器件结构,其特征在于,包括:IGBT结构,所述IGBT结构包括有一金属集电极1,所述金属集电极1的上方依次设置有P+集电区2、N型缓冲层3和N-漂移区4或者所述金属集电极1的上方依次为所述P+集电区2和N-漂移区4,所述N-漂移区4的中部凸起,位于所述N-漂移区4的中部凸起两侧均设置有P型基区5,两个所述P型基区5的中部均设置有凹槽,两个所述凹槽内均设置有N+源区6,所述N+源区6的顶面、P型基区5的顶面与N-漂移区4的顶面相互齐平,两个所述P型基区5的顶面均设置有金属发射极7,所述金属发射极7使得位于同侧的N+源区6与P型基区5短接,且所述金属发射极7均接源极电位;浮栅结构,所述浮栅结构由隧道氧化层8、浮栅电极9、栅氧化层10和控制栅电极11组成,所述隧道氧化层8设置在所述N-漂移区4、P型基区5和N+源区6的顶面中部,所述隧道氧化层8的上方依次设置有所述浮栅电极9、栅氧化层10和控制栅电极11,所述浮栅电极9通过所述隧道氧化层8与所述N-漂移区4、P型基区5和N+源区6隔离,所述控制栅电极11通过所述栅氧化层10与所述浮栅电极9隔离。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中南大学 一种结合浮栅的IGBT器件结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

相关技术
相关技术
相关技术
相关技术