申请/专利权人:中南大学
申请日:2020-01-06
公开(公告)日:2020-05-19
公开(公告)号:CN111180512A
主分类号:H01L29/739(20060101)
分类号:H01L29/739(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/331(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2022.06.17#发明专利申请公布后的驳回;2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开
摘要:本发明提供了一种结合浮栅的IGBT器件结构,包括:IGBT结构及浮栅结构,所述IGBT结构包括有一金属集电极,所述金属集电极的上方依次设置有P+集电区、N型缓冲层、N‑漂移区、P型基区、N+源区和金属发射极,所述金属发射极使得位于同侧的N+源区与P型基区短接,且所述金属发射极均接源极电位;所述浮栅结构由隧道氧化层、浮栅电极、栅氧化层和控制栅电极组成,所述浮栅电极通过所述隧道氧化层与所述N‑漂移区、P型基区和N+源区隔离,所述控制栅电极通过所述栅氧化层与所述浮栅电极隔离;本发明具有缩短关断时间、提升关断稳定性和减小漏电流功能,同时不会增加导通电阻,并且浮栅结构制作工艺简单,拥有良好的应用效果。
主权项:1.一种结合浮栅的IGBT器件结构,其特征在于,包括:IGBT结构,所述IGBT结构包括有一金属集电极1,所述金属集电极1的上方依次设置有P+集电区2、N型缓冲层3和N-漂移区4或者所述金属集电极1的上方依次为所述P+集电区2和N-漂移区4,所述N-漂移区4的中部凸起,位于所述N-漂移区4的中部凸起两侧均设置有P型基区5,两个所述P型基区5的中部均设置有凹槽,两个所述凹槽内均设置有N+源区6,所述N+源区6的顶面、P型基区5的顶面与N-漂移区4的顶面相互齐平,两个所述P型基区5的顶面均设置有金属发射极7,所述金属发射极7使得位于同侧的N+源区6与P型基区5短接,且所述金属发射极7均接源极电位;浮栅结构,所述浮栅结构由隧道氧化层8、浮栅电极9、栅氧化层10和控制栅电极11组成,所述隧道氧化层8设置在所述N-漂移区4、P型基区5和N+源区6的顶面中部,所述隧道氧化层8的上方依次设置有所述浮栅电极9、栅氧化层10和控制栅电极11,所述浮栅电极9通过所述隧道氧化层8与所述N-漂移区4、P型基区5和N+源区6隔离,所述控制栅电极11通过所述栅氧化层10与所述浮栅电极9隔离。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中南大学 一种结合浮栅的IGBT器件结构
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