申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2018-10-11

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN111183519A

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L27/07(20060101);H01L23/485(20060101)

优先权：["20171229 US 15/858,263"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.12#授权;2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要：一种集成电路的构造包括一结构，所述结构包括其上具有绝缘材料的导电材料。所述导电材料及所述绝缘材料在垂直横截面中分别具有相对侧。第一绝缘材料在所述垂直横截面中在所述导电材料的所述相对侧的横向外部。第二绝缘材料在所述垂直横截面中在所述第一绝缘材料的横向外部。所述第二绝缘材料的成分与所述第一绝缘材料的成分不同。所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的下部分。所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中未横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的上部分。第三绝缘材料在所述垂直横截面中在所述第二绝缘材料的横向外部。所述第三绝缘材料的成分与所述第二绝缘材料的成分不同。所述第三绝缘材料在所述垂直横截面中横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的所述下部分及所述上部分。

主权项：1.一种集成电路的构造，其包括：结构，其包括导电材料，所述导电材料在其上具有绝缘材料，所述导电材料及所述绝缘材料在垂直横截面中分别具有相对侧；第一绝缘材料，其在所述垂直横截面中在所述导电材料的所述相对侧的横向外部；第二绝缘材料，其在所述垂直横截面中在所述第一绝缘材料的横向外部，所述第二绝缘材料的成分与所述第一绝缘材料的成分不同，所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的下部分，所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中未横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的下部分；及第三绝缘材料，其在所述垂直横截面中在所述第二绝缘材料的横向外部，所述第三绝缘材料的成分与所述第二绝缘材料的成分不同，所述第三绝缘材料在所述垂直横截面中横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的所述下部分及所述上部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 集成电路的构造及DRAM的构造

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