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【发明公布】半导体结构及其制备工艺以及半导体器件_长鑫存储技术有限公司_201811345558.8 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2018-11-13

公开(公告)日:2020-05-19

公开(公告)号:CN111180417A

主分类号:H01L23/538(20060101)

分类号:H01L23/538(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要:本公开提出一种半导体结构及其制备工艺以及半导体器件。半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、阻挡层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上,第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。阻挡层设于第二氧化物层之上,阻挡层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔开设于硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层并填充有导电材料,硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。电极设于容纳槽内。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括:硅基层;第一氧化物层和第二氧化物层,由下至上依序设于所述硅基层上,所述第二氧化物层的上表面开设有容纳槽;阻挡层,设于所述第二氧化物层之上,所述阻挡层的材质硬度大于所述第二氧化物层的材质硬度;硅穿孔,开设于所述硅基层、所述第一氧化物层和所述第二氧化物层并填充有导电材料,所述硅穿孔的上端显露于所述容纳槽的槽底;以及电极,设于所述容纳槽内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备工艺以及半导体器件

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