申请/专利权人：艾普凌科有限公司

申请日：2019-11-08

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN111180576A

主分类号：H01L43/04(20060101)

分类号：H01L43/04(20060101);H01L43/06(20060101);G01R33/07(20060101)

优先权：["20181109 JP 2018-211558"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.08.27#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要：半导体装置具有第1导电型的半导体衬底和设置在半导体衬底上的纵型霍尔元件，纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；第2导电型的杂质扩散层，设置在半导体层的上部且与半导体层相比为高浓度；由第2导电型的杂质区域构成的多个电极，设置在杂质扩散层的表面，并以在一条直线上排列的方式配置，所述第2导电型的杂质区域与杂质扩散层相比为高浓度；多个第1导电型的电极分离扩散层，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离；以及由第2导电型的杂质区域构成的埋入层，设置在半导体衬底与半导体层之间，第2导电型的杂质区域与半导体层相比为高浓度且与杂质扩散层相比为低浓度。

主权项：1.一种半导体装置，具有：第1导电型的半导体衬底；以及设置在所述半导体衬底上的纵型霍尔元件，其特征在于，所述纵型霍尔元件具备：第2导电型的半导体层，设置在所述半导体衬底上；第2导电型的杂质扩散层，设置在所述半导体层的上部且与所述半导体层相比为高浓度；由第2导电型的杂质区域构成的多个电极，设置在所述杂质扩散层的表面，并以在一条直线上排列的方式配置，所述第2导电型的杂质区域与所述杂质扩散层相比为高浓度；多个第1导电型的电极分离扩散层，分别设置在所述多个电极的各电极间，使所述多个电极分别分离；以及由第2导电型的杂质区域构成的埋入层，设置在所述半导体衬底与所述半导体层之间，所述第2导电型的杂质区域与所述半导体层相比为高浓度且与所述杂质扩散层相比为低浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾普凌科有限公司 半导体装置

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