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【发明公布】三维存储器的制备方法及三维存储器_长江存储科技有限责任公司_202010006203.7 

申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2020-01-03

公开(公告)日:2020-05-19

公开(公告)号:CN111180461A

主分类号:H01L27/11568(20170101)

分类号:H01L27/11568(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.08.06#授权;2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要:本申请公开了一种三维存储器的制备方法及三维存储器。三维存储器的制备方法包括:提供衬底;在衬底上形成阻隔层;在阻隔层上形成堆叠结构层;堆叠结构层分为核心区及围绕核心区设置的台阶区,阻隔层至少位于台阶区;在核心区形成存储结构;刻蚀堆叠结构层,以形成贯穿堆叠结构层的沟槽;其中,阻隔层作为保护层,用于保护衬底,避免在刻蚀堆叠结构层的过程中刻蚀衬底。本申请提供的三维存储器的制备方法避免台阶区的衬底被刻蚀,从而保证制备三维存储器的可靠性。

主权项:1.一种三维存储器的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成阻隔层;在所述阻隔层上形成堆叠结构层;所述堆叠结构层分为核心区及围绕所述核心区设置的台阶区,所述阻隔层至少位于所述台阶区;在所述核心区形成存储结构;刻蚀所述堆叠结构层,以形成贯穿所述堆叠结构层的沟槽;其中,所述阻隔层作为刻蚀停止层,用于保护所述衬底,避免在刻蚀所述堆叠结构层的过程中刻蚀所述衬底。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长江存储科技有限责任公司 三维存储器的制备方法及三维存储器

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