申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2018-08-21

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN111183516A

主分类号：H01L23/522(20060101)

分类号：H01L23/522(20060101);H01L27/06(20060101);H01L27/088(20060101)

优先权：["20171003 US 15/723,224"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.06.12#实质审查的生效;2020.05.19#公开

摘要：公开了一种集成电路IC中的线中MOL屏蔽栅。在IC中的MOL层中制造一个或多个金属电阻器来减少半导体区域中的栅极到漏极寄生电容。通过在MOL层中制造金属电阻器，金属电阻器可以被定位为靠近半导体器件，以在不增加当前制造工艺的成本或缺陷的情况下，更有效地减小半导体器件的寄生电容。当前的制造工艺可以用于在MOL中创建触点来制造金属电阻器。

主权项：1.一种用于集成电路IC的线中MOL被屏蔽的栅极，包括：有源半导体层，包括第一半导体器件；金属电阻器，被设置在MOL层中，所述MOL层被设置在所述有源半导体层上方；其中所述第一半导体器件包括晶体管，所述晶体管包括源极、漏极和被设置在所述源极和所述漏极之间的栅极；并且其中所述金属电阻器被设置在所述晶体管的所述栅极之上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 用于集成电路的线中屏蔽栅

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